三星宣布導入20nm級 NAND閃存芯片

三星電子稱正在采用20nm級的工藝生產64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲卡。

三星稱該芯片技術已于今年4月導入，但有意見質疑稱三星此舉是為了宣布27nm工藝已應對競爭對手宣布的26nm、25nm和24nm工藝。今年8月，Toshiba宣布了24nm 64G NAND閃存，在NAND閃存制程賽跑中處于領先。