1066Mbps/更低功耗 三星20nm內(nèi)存將量產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體稱，三星電子將要大批量生產(chǎn)20nm工藝的4Gbit LPDDR2內(nèi)存，相比之前的30nm工藝更加的超薄和節(jié)能。據(jù)了解，新一代20nm LPDDR2內(nèi)存顆粒的厚度僅為0.8mm，速度（主頻）可達(dá)1066Mbps，并且擁有相比之前更少的功耗。不僅可以讓手機(jī)或平板擁有大容量存儲(chǔ)空間，而且對(duì)續(xù)航能力也有一定的提升。

三星20nm 4Gbit LPDDR2內(nèi)存將量產(chǎn)（圖片引自互聯(lián)網(wǎng)）

三星方面也希望20nm工藝的4Gbit LPDDR2顆粒能取代30nm工藝產(chǎn)品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有跡象表示會(huì)采用2GB內(nèi)存。三星方面預(yù)測(cè)稱，20nm內(nèi)存在2012年會(huì)擁有13%市場(chǎng)占有率；在2013年將會(huì)擁有49%的市場(chǎng)占有率；2014年這個(gè)數(shù)字會(huì)達(dá)到63%。屆時(shí)手機(jī)和平板的主流內(nèi)存也會(huì)上升到2GB。