LSI率先演示SandForce® SF-2000閃存存儲處理器

21ic訊 在2012臺北國際電腦展上，LSI公司宣布演示其備受贊譽的SandForce® SF-2000閃存存儲處理器（FSP），該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 閃存---目前SSD應(yīng)用中所使用的最先進閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周在2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。
 
LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤（SSD）提供同類最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品證明，LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產(chǎn)品，還可以加速閃存存儲在云計算、企業(yè)和客戶端應(yīng)用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶端和企業(yè)市場領(lǐng)域的出貨量將超過1億，與2011年相比出貨量增長56%。(1) 

SSD目標分析師Jim Handy 指出：“SSD用戶都希望從領(lǐng)先的閃存技術(shù)中獲得巨大的成本優(yōu)勢，但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本最低的閃存芯片的復(fù)雜性。通過支持最小的NAND工藝，LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業(yè)和客戶端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”

隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小，引入最先進的錯誤校驗功能已成為當(dāng)務(wù)之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質(zhì)比，這會降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性，LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內(nèi)可校正多達55位錯誤，也成為業(yè)界首款可同時支持企業(yè)和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個獨特的糾錯引擎，盡管當(dāng)今和未來先進NAND閃存技術(shù)對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高，但是該引擎憑借其獨特的設(shè)計完全可以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出：“與6家NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先制造商開展合作，使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計算和財富1000企業(yè)中關(guān)鍵任務(wù)型計算環(huán)境所需的卓越可靠性，使用壽命和功效，并且隨著用戶越來越認可這些屬性，我們期望繼續(xù)看到SSD技術(shù)被廣泛采用。” 

為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求，LSI SandForce FSP 采用了DuraClass® 高級NAND閃存管理技術(shù)。

DuraClass管理特性包括：

• DuraWrite™：優(yōu)化閃存的程序周期數(shù)量，有效地提高閃存耐用性。
• RAISE™（獨立芯片冗余陣列）：驅(qū)動器可靠性得到大幅提高，可實現(xiàn)單驅(qū)動解決方案、RAID式的保護及恢復(fù)功能。
• 高級耗損平衡和監(jiān)視： 最佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。
• 反復(fù)循環(huán)器：智能地執(zhí)行“垃圾收集”操作，清除無效數(shù)據(jù)，使閃存耐用性影響最小化。

LSI技術(shù)演示將在臺北市君悅酒店1037和1038號LSI套房中進行。