可能很多同學不知道，Intel成立初期不是做微處理器的，而是主營SRAM、DRAM等存儲芯片，只不過后來受到日本廠商的沖擊，才果斷轉型，成就了一番霸業(yè)。不過，Intel現(xiàn)在又有點重操舊業(yè)的架勢，Haswell處理器中有部分集成了多達128MB eDRAM嵌入式緩存，既能輔助核顯，也能作為系統(tǒng)四級緩存。與它相關的資料正在陸續(xù)披露，ISSCC大會上又進一步公開了更深入的細節(jié)。
芯片專家ChipWorks則從底層晶體管的角度，分析對比了Intel的這種eDRAM，發(fā)現(xiàn)其架構和其他同類技術有很大不同。
IBM已經使用eDRAM很多年了，45nm時代后更是成為Power處理器的標配，現(xiàn)在已經進入了22nm，但尚未有實際產品問世。
IBM 32nm Power7+里邊集成的eDRAM
臺積電、瑞薩(NEC)也在為游戲機打造的芯片里使用eDRAM，比如微軟Xbox、任天堂Wii，都是更傳統(tǒng)的DRAM堆棧加玻璃杯形電容。
不同的是，臺積電采用了CUB(cell-under-bit)堆棧，位線(bitline)在電容之上，瑞薩則是反過來的COB(cell-over-bit)。
臺積電65nm eDRAM(微軟Xbox GPU)
瑞薩45nm eDRAM(任天堂Wii GPU)
Intel的也是COB，但在金屬電介質堆棧底層內以凹洞形式做了一個MIM電容。這部分的工藝是22nm，九個金屬層。
放大看電容陣列的邊緣，可見M2、M3、M4三個金屬層堆棧構成了電容的外層。
繼續(xù)放大，可以看到與三柵極鰭片中部接觸的子線(worldline)晶體管，以及末端的兩個傳遞子線(passing wordlines)。
電容部分頂視圖，顯然都是矩形的，但具體材料還在分析中。
Intel表示，每一個單元單榮的容量是13fF，面積0.029平方微米，大致相當于其22nm SRAM單元面積(0.09平方微米)的三分之一，略大于IBM同類的0.026平方微米。
Intel退出DRAM行業(yè)已經幾乎三十年了，現(xiàn)在有點借機重返的意味，但絕對不會大規(guī)模重來，指望Intel牌內存更是天方夜譚。
不過，下一代Knights Landing Xeon Phi高性能計算處理器倒是會搭配16GB eDRAM，等于128顆Haswell所用芯片，因此未來的主攻方向應該還是游戲、高性能計算。
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