支持UFS 3.0！西數(shù)推出新一代iNAND嵌入式閃存EU511

今年的智能手機(jī)除了會(huì)升級(jí)處理器之外，存儲(chǔ)芯片也會(huì)升級(jí)到最新標(biāo)準(zhǔn)，移動(dòng)內(nèi)存LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)才被JEDEC組織正式公布，閃存也會(huì)從UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0，讀寫速度堪比SSD硬盤(隨機(jī)還不行)。西數(shù)公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式閃存EU511，支持UFS 3.0，最大容量512GB，使用了96層堆棧3D NAND閃存，讀取速度可達(dá)750MB/s，是前代的兩倍，如此高速的性能將為未來(lái)的5G設(shè)備提供更好的體驗(yàn)。

西數(shù)去年底就宣布量產(chǎn)96層堆棧的3D NAND閃存了，這次推出的iNAND EU511嵌入式閃存也是96層堆棧的，雖然西數(shù)官方?jīng)]有公布具體類型，但不太可能是QLC閃存，應(yīng)該還是3D TLC，因?yàn)榻衲?月底東芝也發(fā)布了UFS 3.0閃存，就是96層堆棧3D TLC閃存，兩家公司推新一代產(chǎn)品的步驟是差不多的。

西數(shù)的EU511閃存支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規(guī)范，而UFS 3.0單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511閃存最低64GB，最高512GB，而且憑借西數(shù)的SmartSLC Generation 6技術(shù)使得讀取速度達(dá)到了750MB/s，官方表示連續(xù)讀取性能是前代的兩倍。

這樣的性能也讓新一代UFS 3.0閃存為即將到來(lái)的5G時(shí)代做好準(zhǔn)備，西部數(shù)據(jù)公司Devices事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Oded Sagee表示：“智能手機(jī)正在日益成為萬(wàn)物互聯(lián)的中心。高速5G網(wǎng)絡(luò)旨在實(shí)現(xiàn)比之前快100倍的數(shù)據(jù)傳輸速度，并在更多的設(shè)備上部署人工智能(AI)。人工智能(AI)由集成式神經(jīng)處理單元(NPU)所驅(qū)動(dòng)，允許我們?cè)L問大數(shù)據(jù)和快速數(shù)據(jù)，這將改變我們使用智能手機(jī)的方式。面對(duì)實(shí)時(shí)邊緣計(jì)算的高需求，嚴(yán)格的數(shù)據(jù)捕獲標(biāo)準(zhǔn)和訪問模式將成為5G設(shè)備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式閃存盤，西部數(shù)據(jù)可以讓用戶按需、無(wú)縫、即時(shí)地體驗(yàn)5G應(yīng)用的新威力。”

西數(shù)iNAND EU511閃存目前已經(jīng)開始給OEM客戶出樣。