[導讀]日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器（DRAM），4塊疊加厚度僅為0.8毫米。超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的
日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器（DRAM），4塊疊加厚度僅為0.8毫米。
超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。
該DRAM將由秋田爾必達工廠生產，三季度開始出貨。
--來源：中電網
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