臺(tái)積電12寸廠(chǎng)2年內(nèi)達(dá)10座　堪稱(chēng)業(yè)界之冠

臺(tái)積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)資深副總劉德音表示，phase 5預(yù)計(jì)2010年第3季投入28納米制程量產(chǎn)，此外，南科Fab 14第4期廠(chǎng)房過(guò)完農(nóng)歷年后亦將開(kāi)始動(dòng)工興建，以加速擴(kuò)充40納米制程產(chǎn)能。他并透露，未來(lái)新竹亦規(guī)劃投入phase 6用來(lái)投資22納米制程。因此，根據(jù)臺(tái)積電目前建廠(chǎng)規(guī)畫(huà)估算，2年內(nèi)臺(tái)積電12寸廠(chǎng)數(shù)將高達(dá)10座之多，堪稱(chēng)業(yè)界之冠!

臺(tái)積電新竹Fab 12第5期19日舉行上梁典禮，典禮主持人劉德音表示，預(yù)計(jì)2010年第3季迅速完工裝機(jī)，并開(kāi)始投入量產(chǎn)。值得注意的是，F(xiàn)ab 12第4、5期是臺(tái)積電最新世代研發(fā)暨初期量產(chǎn)廠(chǎng)房，其中，第4期廠(chǎng)房已于2009年第3季開(kāi)始量產(chǎn)，第5期則是緊接著在2009年底動(dòng)工，近期趕工擴(kuò)建便是為滿(mǎn)足客戶(hù)急增的需求。

未來(lái)Fab 12第5期廠(chǎng)房除負(fù)責(zé)28納米制程產(chǎn)品量產(chǎn)，亦將擔(dān)負(fù)22納米及更先進(jìn)制程技術(shù)研發(fā)重任，現(xiàn)階段臺(tái)積電28及22納米制程研發(fā)正在Fab 12第1、2期廠(chǎng)房進(jìn)行，預(yù)計(jì)第4季28納米制程投入量產(chǎn)。劉德音表示，位于臺(tái)南廠(chǎng)區(qū)Fab 14第4期廠(chǎng)房，過(guò)完農(nóng)歷年后開(kāi)始動(dòng)工興建，并預(yù)計(jì)迅速于2010年底完工裝機(jī)，在既有40納米制程產(chǎn)能上再行擴(kuò)充。

新竹Fab 12第5期廠(chǎng)區(qū)算是臺(tái)積電第8座12寸廠(chǎng)，而南科將擴(kuò)建的Fab 14第4期廠(chǎng)房預(yù)料將是第9座12寸廠(chǎng)，劉德音透露，接續(xù)28納米之后的22納米制程，未來(lái)很可能交由新竹Fab 12第6期承擔(dān)。因此，依此估算，臺(tái)積電近2年內(nèi)12寸晶圓廠(chǎng)數(shù)便將高達(dá)10座。

其它晶圓代工廠(chǎng)方面，2010年起聯(lián)電亦將積極布建先進(jìn)制程產(chǎn)能，主要以45/40納米制程擴(kuò)充為優(yōu)先目標(biāo)，其中，位于新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i已積極啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，目前Fab 12i月產(chǎn)能為3.1萬(wàn)片晶圓;南科12B亦將加入擴(kuò)產(chǎn)行列，這2大基地將是聯(lián)電產(chǎn)能擴(kuò)充空間最大的12寸廠(chǎng)。

至于全球晶圓 (Global Foundries)合并新加坡特許(Chartered)之后，新加坡Fab 7產(chǎn)能將從3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)片，而既有位于德國(guó)德勒斯登12寸廠(chǎng)Fab 1第1期將主要投入高效SOI制程，第2期則鎖定擴(kuò)建32納米以下CMOS制程，而美國(guó)紐約Fab 8預(yù)計(jì)最快2012年投入初期量產(chǎn)。

此外，面對(duì)業(yè)界所關(guān)心40納米制程良率進(jìn)展，劉德音表示，之前設(shè)備腔體變異一致性(chamber matching)問(wèn)題已獲解決，目前40納米良率水平已與65納米同階段進(jìn)展相當(dāng)，大量生產(chǎn)沒(méi)有問(wèn)題。近期臺(tái)積電確實(shí)已感受到客戶(hù)對(duì)先進(jìn)制程產(chǎn)能需求強(qiáng)勁、供給吃緊，臺(tái)積電將加強(qiáng)投資力道與研發(fā)，全力滿(mǎn)足客戶(hù)需求。