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[導讀]2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨,形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險,隨著缺貨問題解決,ASML針對20納米工藝,推出深紫外光(EUV)機臺,目前已有10臺訂單在手,預計2012年將正式交貨;不過,對

2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨,形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險,隨著缺貨問題解決,ASML針對20納米工藝,推出深紫外光(EUV)機臺,目前已有10臺訂單在手,預計2012年將正式交貨;不過,對于資金拮據的DRAM廠,1臺要價近1億美元的EUV機臺,將會是更大的資金挑戰(zhàn),目前僅瑞晶下單訂購1臺,藉以確保20納米工藝的參賽權。

ASML成立于1984年,是從荷商飛利浦(Philipsa)分割出來的獨立半導體設備公司,設備不斷推陳出新,在1984和1989年分別推出PAS 2000和PAS 5000機臺,1990年代推出PAS 5000 Stepper和Scanner,2000年推出Twinscan光刻機,2010年進入EUV機臺。在ASML各地區(qū)營收比重中,亞洲市場占53%,其中南韓占16%、臺灣占28%、新加坡占5%、大陸占4%,而美國市場占33%、歐洲市場占14%。

ASML指出,2006年推出第1代EUV機臺,出貨給比利時微電子研究中心(imec),第2代NEX 3100機臺,截至2011年第1季已出貨3臺,預計此款機臺只會出6臺,其余3臺會在年底前出貨,之后會推出NEX 3300機臺量產型機臺,其曝光速度和瞄準率均較高。

ASML進一步表示,目前NEX 3300機臺全球接獲訂單數量已有10臺,客戶包括晶圓代工業(yè)者,以及臺、韓、美、日等內存制造商,預計NEX 3300機臺可在2012年正式交貨。

ASML進一步表示,第1代EUV機臺1片晶圓曝光時間要2小時,NEX 3100機臺估計每小時可達曝光60片晶圓,但目前尚未達此目標,未來NEX 3300機臺目標是1小時可曝光100片晶圓。

2010年DRAM產業(yè)剛從全球金融風暴中復蘇,當時各廠加速轉進40納米工藝,卻遇到Immersion Scanner機臺設備大缺貨,各廠工藝微縮進度都被關鍵機臺卡住;再者,浸潤式微米光刻機臺1臺要價近新臺幣10億元,對當時體質虛弱的DRAM廠而言,資本障礙也形成競爭力天險。

目前浸潤式微米光刻機臺設備缺貨問題已逐漸解除,半導體廠只有資金充裕,在固定交期下,拿到浸潤式微米光刻機臺都不是問題,不過要進入20納米工藝以下的技術競賽,必須要轉進EUV機臺,以1臺單價近30億元來看,對于DRAM廠而言,又是另一個艱巨的資金天險。

據了解,目前臺系內存廠中,只有瑞晶已向ASML預定1臺EUV機臺,其他DRAM廠都按兵不動,加上如力晶、茂德等DRAM廠的營運重心都轉型至晶圓代工,真正生產標準型DRAM的產能比重也降低,未來在轉進20納米工藝后,是否要購入EUV機臺,可能要從財務狀況評估。

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