應(yīng)材:半導(dǎo)體掀整并潮 未來(lái)5年技術(shù)轉(zhuǎn)折將更多

半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)材(Applied Materials)集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸(見(jiàn)附圖)，出席應(yīng)材「創(chuàng)新科技種子營(yíng)」的十屆營(yíng)友相聚歡活動(dòng)，并于會(huì)中發(fā)表對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的看法。他指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中整并(Consolidation)的趨勢(shì)日趨明顯，不論是從半導(dǎo)體設(shè)備、資本支出、或從IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)等來(lái)看，都可以觀察到相同的現(xiàn)象。他并預(yù)言，在未來(lái)5年之內(nèi)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會(huì)出現(xiàn)比過(guò)去15年更多值得關(guān)注的技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

余定陸分析，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在最近10幾年來(lái)，由于原本的IDM廠商多轉(zhuǎn)向采取fab-lite或者fabless的策略，使得投資半導(dǎo)體制造資本支出的廠商家數(shù)大幅減少，包括英飛凌(Infineon)于2005年正式宣告轉(zhuǎn)型為Fabless IC設(shè)計(jì)公司、德儀(TI)于2007年進(jìn)入采用混合式晶圓廠(hybrid fab)的時(shí)代、超微(AMD)于2008年轉(zhuǎn)型為Fabless、瑞薩(Renesas)于2010年宣告其fab-lite的策略等，都是顯例。

而值得注意的是，半導(dǎo)體制造的資本密集度在2x奈米世代之后，更是以驚人的倍數(shù)增加，以記憶體產(chǎn)業(yè)為例，目前的2x奈米，相較于6x奈米，廠商在前者投入的CAPEX金額，高達(dá)后者的3.4倍;而就邏輯IC產(chǎn)業(yè)而言，2x奈米的CAPEX金額更是6x奈米的4倍之多。也因此，隨著制程越走越先進(jìn)，能夠負(fù)荷的起的玩家也越來(lái)越稀少。

余定陸因此認(rèn)為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)能夠負(fù)擔(dān)這樣巨額成本的廠商家數(shù)將越來(lái)越少，例如目前有計(jì)劃量產(chǎn)22、20奈米的廠商家數(shù)僅余5家，待進(jìn)展到16、14奈米時(shí)，家數(shù)可能會(huì)再縮減。

另外，余定陸指出，在1995年，全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備商設(shè)備銷(xiāo)售金額的總和，僅占整體市場(chǎng)的32%;不過(guò)到了2012年，這個(gè)比例大幅拉高為63%。至于在IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)方面，全球第一大的Fabless IC設(shè)計(jì)業(yè)者，其產(chǎn)品銷(xiāo)售金額于2000年僅占整體市場(chǎng)規(guī)模的10%，惟這個(gè)比例于2013年將突破20%，在在都顯示半導(dǎo)體大者恒大的整并現(xiàn)象，在產(chǎn)業(yè)的各個(gè)面向都在發(fā)生。

同時(shí)，他表示，隨著資本密集度與技術(shù)難度的增加，不確定性也隨之升高，例如微影技術(shù)及3D矽穿孔技術(shù)(Litho與3D TSV)的發(fā)展進(jìn)度，自2007~2008年迄今，進(jìn)展仍相當(dāng)有限，下一個(gè)世代的技術(shù)方向?qū)⒎浅ｋy以預(yù)測(cè)。也因此他大膽預(yù)言，認(rèn)為未來(lái)5年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生的技術(shù)轉(zhuǎn)折，將比過(guò)去15年更多。