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[導讀]剛剛發(fā)布的HTC One A9上那顆驍龍617,有很多小伙伴不明白它和驍龍615到底有什么區(qū)別,所以筆者接下來就為大家比較一下驍龍615、驍龍616與驍龍617這三款芯片。

導讀:自從高通開始采用ARM公版架構(gòu)以來,大名鼎鼎的驍龍處理器產(chǎn)品線就變得愈加復雜了起來。就拿剛剛發(fā)布的HTC One A9上那顆驍龍617來講,有很多小伙伴不明白它和驍龍615到底有什么區(qū)別,所以小編接下來就為大家比較一下驍龍615、驍龍616與驍龍617這三款芯片。


其實驍龍617是今年9月份隨著高通Quick Carge 3.0標準一同發(fā)布的新產(chǎn)品,架構(gòu)與配置都與之前的驍龍616/615有了很大變化。

我們可以看到,驍龍616基本上就是驍龍615的一個小改版。但驍龍617卻棄用了驍龍616/615的「4核+4核架構(gòu)」,轉(zhuǎn)而采用平行的八核架構(gòu),這也就是為什么高通開始稱其為真八核的原因所在。

除CPU架構(gòu)有了大改以外,驍龍617在多個細節(jié)處也相對前兩款有了大幅提升。

X8 LTE基帶芯片

從驍龍620發(fā)布開始,高通就開始放棄在基帶芯片上采用MSM9x2x這種復雜的命名方式,而是將其根據(jù)性能劃分為X5、X7、X8等多個品牌。其中驍龍617上搭載的就是X8 LTE基帶芯片。

與驍龍616上的X5 LTE相比,X8 LTE因為支持X5 LTE芯片所沒有的雙向2x20 MHz載波聚合功能,所以其上下行傳輸速度能達到X5 LTE的一倍之多。

高通Qucik Charge 3.0

驍龍617搭載的Qucik Charge 3.0是高通快速充電技術(shù)的第三代產(chǎn)品。相比前代,Quick Charge 3.0應用了高通最新研發(fā)的「最佳電壓智能協(xié)商算法」(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage),該算法可以在手機連接充電器時自動判斷最佳充電功率,從而最大化能源效率。


對比QC 2.0時代充電直接從5V跳到9V的做法,QC 3.0現(xiàn)在會以200mV為一個漸進的單位慢慢提升電壓。這也就是說一開始充電時電壓并不高, 這種智能升壓的方法不僅能夠縮短充電時間(充電功率連續(xù)增加),還能夠有效降低充電過程中的熱能損耗,從而提高充電效率。據(jù)高通介紹,QC3.0的充電速 度較QC2.0最高提升了27%,還可以降低最多45%的充電損耗,可說是非常厲害的技術(shù)了。

Hexagon 546數(shù)字信號處理器

數(shù)字信號處理器(DSP)是一類專門設(shè)計來處理數(shù)字信號的特殊處理器。雖然DSP在通用計算方面沒有CPU的功能全,但是在進行一些特殊的運算(譬如音頻信號的采集與解碼)時速度要快得多,而且功耗能降得非常低。因此,目前絕大部分手機SoC中都會集成DSP芯片。


驍龍617上的Hexagon 546數(shù)字信號處理器,相比驍龍616/615上的Hexagon V50支持更低功耗的傳感器,這能夠有效提升手機續(xù)航能力。另外,Hexagon 546也具備更加優(yōu)異的音頻解碼性能,這對于音頻愛好者來講會是個好消息。

eMMC 5.1/雙通道內(nèi)存

最后,驍龍617在存儲與內(nèi)存方面也有了新的升級,其中eMMC 5.1標準與雙通道內(nèi)存技術(shù)是我們值得留意的。


簡單來講eMMC就是手機內(nèi)存的一個接口標準,這個標準越高,能夠允許手機內(nèi)存發(fā)揮出的I/O性能也就越強。而eMMC 5.1相對于eMMC 4.5來講也是一個巨大的跨越,其理論傳輸帶寬達到了600MB/s,而eMMC 4.5只有僅僅只有200MB/s左右。另外,驍龍617還支持了更高頻率內(nèi)存以及雙通道技術(shù),理論上能讓內(nèi)存性能更強一些,但由于目前內(nèi)存的性能已經(jīng)足夠使用,所以其優(yōu)勢并沒有太大的體現(xiàn)。

總結(jié)

相較于驍龍615/616,驍龍617在CPU架構(gòu)、基帶、DSP、快充技術(shù)、I/O標準等地方都進行了大幅提升。所以作為高通2015年攻占中端SoC市場的主要產(chǎn)品,驍龍617的實際體驗也未必輸給像驍龍810這樣的旗艦產(chǎn)品。畢竟現(xiàn)在SoC的性能已經(jīng)不再是瓶頸,反而是快充技術(shù)等「周邊」功能更容易讓用戶感受到體驗提升。所以HTC One A9采用了這顆SoC,想來也是十分恰當?shù)摹?/p>

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