贛州經(jīng)開區(qū)官方微信平臺消息顯示，6月6日，贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司(香港)、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院(以下簡稱“電研院”)簽訂三方合作框架協(xié)議，名芯半導(dǎo)體項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)。
據(jù)介紹，名芯半導(dǎo)體項目總投資200億元，將分兩期建設(shè)：一期投資60億元，建設(shè)一條8英寸功率晶圓生產(chǎn)線;二期投資120-140億元，規(guī)劃建設(shè)第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。兩期項目達(dá)產(chǎn)達(dá)標(biāo)后，預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上。
該項目涉及的產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中80%品種。同時，項目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測工廠、IC設(shè)計公司、微電子研究院等三個項目。
資料顯示，電研院于2007年8月由東莞市人民政府、電子科技大學(xué)和廣東省科技廳聯(lián)合共建，是廣東省部產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新平臺以及國家技術(shù)轉(zhuǎn)移示范機(jī)構(gòu)、國家級科技企業(yè)孵化器。這些年來，電研院以“技術(shù)+資本”為模式，已累計孵化各類電子信息高科技企業(yè)100余家。
名芯有限公司(香港)資產(chǎn)約20億元港幣，銷售IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、存儲芯片、MOSFET(金氧半場效晶體管)及半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備。目前已取得日本、美國等海外封測工藝專利授權(quán)500余項。
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