升級到22nm Intel新晶圓廠首次破例參觀[多圖]

　　Intel公司今天宣布，將在美國境內(nèi)投資60到80億美元，升級半導體制造技術，并在俄勒岡州興建一座新的晶圓廠。

　　根據(jù)該計劃，Intel將在美國俄勒岡州建立名為Fab D1X的新晶圓廠，預計該廠將于2013年投入研發(fā)工作，具體投產(chǎn)日期還未確定。同時，Intel位于美國亞利桑那州的Fab 12、Fab 32，以及位于俄勒岡州的Fab D1C和Fab D1D也將借助這筆投資，升級到22nm制程工藝。預計該項投資將能夠制造6000到8000個建筑工業(yè)崗位，并在完成后再制造800到1000個永久性高技術工作崗位。

　　Intel表示，目前公司制造處理器的速度相當于每秒鐘100億個晶體管。但相比PC行業(yè)今年達到的每天100萬臺的銷售速度，其產(chǎn)能仍然無法滿足需求，因此需要進一步的投資來升級技術，擴充產(chǎn)能。據(jù)稱，新的Fab D1X未來將有能力升級制造450mm晶圓，相比目前最大的300mm晶圓進一步提高產(chǎn)量降低成本。不過，該升級計劃目前還沒有具體時間表。

　　根據(jù)Intel的“Tick-Tock”技術升級路線圖，下一個“Tick”將是代號為Ivy Bridge的22nm工藝產(chǎn)品。預計該系列處理器將于2011年下半年投產(chǎn)，2012年初零售上市，此次四座工廠的制程升級很可能就是為這次換代做準備。

　　Fab D1X設計圖，位于美國俄勒岡州Hillsboro，Intel Ronler Acres 園區(qū)

　　Fab D1C，位于美國俄勒岡州Hillsboro

　　Fab D1D，位于美國俄勒岡州Hillsboro

　　Fab 32，位于美國亞利桑那州Chandler

　　Intel、美光合資閃存制造企業(yè)IM Flash Technologies， LLC（IMFT）宣布已經(jīng)開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進行參觀。

　　位于雪山腳下的IMFT工廠

　　工廠結(jié)構(gòu)，制造半導體產(chǎn)品最關鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設備維護工作則在二層的“SubFab”層完成。

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　　進入無塵室之前的“打包”過程。（由于無塵室內(nèi)部的嚴格要求，實際上以下內(nèi)部照片均來自IMFT官方）

　　

　　晶圓廠內(nèi)走廊，頂端的自動運輸系統(tǒng)（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個制造環(huán)節(jié)間運輸，24小時不停歇。每個運載器都打在了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。

　　

　　廠內(nèi)地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。

　　

　　FOUP片盒掛接在一個制造階段設備上，后面的那個正在被AMHS吊起。

 

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　　幾乎所有制造過程均為自動完成，因此廠內(nèi)大部分工人的工作就是保證這些設備正常運行。

　　

　　化學機械拋光（CMP）車間

　　

　　照明受限的光刻車間

　　

　　一塊光刻掩膜，光刻過程簡單的說就是將這塊掩膜上圖案“縮印”到晶圓上。

　　

　　光刻過程中的“校準”

 

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　　實時缺陷監(jiān)測（RDA）

　　

　　FOUP片盒中的300mm晶圓

　　

　　PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總?cè)萘砍^2TB。

　　

　　

　　300mm晶圓

 

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　　每片閃存顆粒die容量為8GB（每格2GB），面積167平方毫米。

　　

　　Intel副總裁，NAND閃存業(yè)務總經(jīng)理Tom Rampone手持25nm顆粒

　　

　　

　　尺寸對比

　　

　　從左到右分別是：

　　2003年130nm工藝128MB，2005年90nm工藝512MB，2007年50nm工藝1GB，2009年34nm工藝4GB以及現(xiàn)在的25nm工藝8GB閃存。最右側(cè)是標準的TSOP閃存封裝尺寸。

　　使用25nm工藝閃存，只需要單die芯片即可造出Class 10級SD卡。Intel計劃，今年將基于該閃存造出最大600GB的固態(tài)硬盤，而美光甚至計劃最大推出1TB SSD。

　　

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來源：[db:出處]

作者：tee