韓國三星SDI公布IGZO TFT12.1英寸有機(jī)EL面板技術(shù)細(xì)節(jié)

時(shí)間：2008-05-30 02:32:08

關(guān)鍵字： TFT 三星面板技術(shù) SD

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[導(dǎo)讀] 韓國三星SDI開發(fā)出了采用氧化物半導(dǎo)體IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT 12.1英寸有機(jī)EL面板，并在“SID 2008”上公布了技術(shù)細(xì)節(jié)。該面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半導(dǎo)體的有源矩陣型的TFT陣列和有機(jī)EL元件。此次開

韓國三星SDI開發(fā)出了采用氧化物半導(dǎo)體IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT 12.1英寸有機(jī)EL面板，并在“SID 2008”上公布了技術(shù)細(xì)節(jié)。該面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半導(dǎo)體的有源矩陣型的TFT陣列和有機(jī)EL元件。

此次開發(fā)的有機(jī)EL面板的圖元為1280×768圖元（WXGA），解析度為ppi。亮度為300cd/m2，對(duì)比度為2萬:1。采用底部發(fā)光結(jié)構(gòu)，光從TFT底板側(cè)取得。有機(jī)EL材料采用的是低分子材料。但紅色用磷光材料，綠色和藍(lán)色采用螢光材料。

TFT的掩膜數(shù)量為7片。圖元間距為69μm×207μm，圖元電路由2個(gè)TFT和1個(gè)電容器構(gòu)成。采用底柵結(jié)構(gòu)，柵極、源極及漏極的電極材料采用Mo，柵極絕緣膜采用SiOx/SiNx，并使用了現(xiàn)有的光刻制造技術(shù)。IGZO TFT的遷移率為17.2cm2s，開關(guān)比為108以上，亞閾值斜率（S值）為0.28V/decade。

三星SDI指出，采用IGZO的TFT其優(yōu)勢(shì)在于可以著手量產(chǎn)大尺寸玻璃底板。使用此次的的TFT制作方法，甚至可以支援第8代底板。

（編輯：文靜）