日本啟動EUV光源開發(fā)項目

據(jù)半導體國際網(wǎng)站報道，日前一個關(guān)于極紫外（EUV）光刻光源開發(fā)的新聯(lián)盟在日本啟動，這是繼EUV曝光技術(shù)開發(fā)完成后，日本極紫外光刻系統(tǒng)開發(fā)協(xié)會(ExtremeUltravioletLithographySystemDevelopmentAssociation，EUVA，日本川崎)的又一動作，該項目是在2008年3月達成決議的。5月，該協(xié)會舉行了最后的討論會，報告EUV光源開發(fā)成果。報告結(jié)果主要展示了采用激光等離子體技術(shù)（LPP）的中間聚焦點為60W的EUV光源，和采用放電等離子體技術(shù)（DPP）的中間聚焦點為20W的EUV光源。之前在3月份結(jié)束的這個項目獲得了日本經(jīng)濟貿(mào)易產(chǎn)業(yè)省（MinistryofEconomy,TradeandIndustry，METI)的支持，為期5年，總金額達到1.25億美元。

然而，EUV光源開發(fā)的成果尚不能商業(yè)化，光源靶極設(shè)定值超過了115W，可滿足300mm晶圓100wph的量產(chǎn)需求。這個新聯(lián)盟包括EUV光源開發(fā)商UsioInc.(Tokyo)和KomatsuLtd.(Tokyo)，EUV設(shè)備制造商Nikon和Canon，并與METI的下屬機構(gòu)新能源和技術(shù)開發(fā)組織（NewEnergyandIndustrialTechnologyDevelopmentOrganization，NEDO)簽訂了為期2年的合同。合同幫助新聯(lián)盟使用之前EUVA項目的工具設(shè)施。

在開發(fā)EUV光源上最大的挑戰(zhàn)在于，如何在等離子氣氛中為濺射墻控制碎片、灰塵或污染物。如果沒有碎片控制，光源會很快惡化。阻止污染物進入透鏡和光掩膜，對EUV光源的正常工作也是必不可少的。

在向NEDO提交的一項申請中，EUVA提出了新的關(guān)于EUV光源清洗技術(shù)的建議，它包括32nm節(jié)點EUV光源的掩膜和透鏡污染評估技術(shù)，以及聚焦束系統(tǒng)的清洗技術(shù)。新建議預計于5月底被接納。EUVA希望今年能啟動一個為期3年的新合同計劃。

Nikon、Canon和ASML公司目前都在為R&D研發(fā)中心提供alpha樣機，但對于32nm及更高節(jié)點的量產(chǎn)來說，EUV光源的能量仍是個問題。更高能量的EUV光源仍在期待中。

編輯： 荒原