美國南加州大學開發(fā)出透明的TFT

12月26日消息，美國南加州大學（University of Southern California）利用碳納米管（CNT）開發(fā)出了載流子遷移率最大為1300cm2/Vs的透明TFT。載流子遷移率的提高是通過提高CNT結構的密度而實現(xiàn)的。最大透射率平均為80％。開、閉路時，源/漏極間的電流比為3×104。因能用120℃以下的工藝制作，可在玻璃和PET底板上形成TFT。

開發(fā)該TFT的是南加州大學電子工程系（Department of Electrical Engineering）教授周崇武（Chongwu Zhou）的研究小組。制法為：首先使CNT在石英底板上生長，然后將其移動到預先形成了ITO柵電極的玻璃或PET底板上。之后，形成透明源極和漏極。 CNT管壁的厚度相當于一個碳原子。

周崇武等人表示，采用此次開發(fā)的透明TFT驅動市場上銷售的GaN LED時，光度可達原來的1000倍。（曾聰）