OTFT軟性背板備受矚目 力爭(zhēng)電子紙背板主流

因兼具小彎曲半徑和高電子遷移率(Mobility)優(yōu)勢(shì)，有機(jī)薄膜電晶體OTFT成為主流電子紙軟性背板的呼聲極高，目前索尼Sony、日本印刷DNP、Plastic Logic、Polymer Vision、臺(tái)灣工研院等皆競(jìng)相發(fā)表最新OTFT軟性背板技術(shù)，并加速達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo)。

工研院電子與光電研究所組長(zhǎng)胡紀(jì)平強(qiáng)調(diào)，目前大尺寸軟性背板開發(fā)并無技術(shù)瓶頸，主要視開發(fā)的產(chǎn)線決定，待試量產(chǎn)更加成熟后，面板商將可考慮采用更高世代產(chǎn)線制造OTFT軟性背板。胡紀(jì)平表示，電子紙的應(yīng)用版圖大小取決于彎曲半徑，因此具備小彎曲半徑特性的OTFT軟性背板備受矚目，現(xiàn)階段工研院已開發(fā)出彎曲半徑最小可達(dá)5毫米的4.7寸主動(dòng)式軟性背板，可反復(fù)彎折達(dá)一萬次以上。

相較于LG、元太科技、北美亞歷桑那州立大學(xué)(ASU)等分別開發(fā)的金屬氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)和非晶硅TFT軟性背板（a-Si TFT軟性背板），OTFT軟性背板的彎曲半徑約4～10公分，更突顯出其優(yōu)越的可彎曲性能。

此外，TFT陣列的電子遷移率為電子紙重要的特性，其將決定電子紙翻頁的速度?，F(xiàn)今非晶硅TFT軟性背板的電子遷移率已可達(dá)0.5cm2/V-s。胡紀(jì)平指出，一般OTFT的電子遷移率可達(dá)0.01～0.1cm2/V-s，但隨著電子紙未來將朝向動(dòng)畫影像演進(jìn)，對(duì)于電子紙的換頁速度要求將更加嚴(yán)苛，有鑒于此，工研院已發(fā)布電子遷移率高達(dá)1 cm2/V-s的OTFT軟性背板，超越非晶硅TFT的電子遷移率效能。

除了彎曲半徑與高電子遷移率外，為使電子紙真正達(dá)成大量商品化，降低生產(chǎn)成本仍為重要課題，胡紀(jì)平談到，可印制式的軟性背板采用卷對(duì)卷(R2R)制程，將有助于降低制造成本，另外，有別于一般制程動(dòng)輒200～300℃高溫，導(dǎo)致負(fù)擔(dān)的高溫制程與設(shè)備成本偏高，工研院所開發(fā)的OTFT軟性背板制程溫度低，僅130℃，僅為高溫制程與設(shè)備成本的十分之一。 （編輯：小舟）