我國LED產(chǎn)業(yè)上游環(huán)節(jié)發(fā)展提速
中國led產(chǎn)業(yè)保持較快穩(wěn)定增長
自國家半導(dǎo)體照明工程實施以來,中國LED產(chǎn)業(yè)取得了長足的發(fā)展。2008年,全球金融危機導(dǎo)致下游市場需求疲軟,在一定程度上減緩了中國LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。進入2009年,隨著國家不斷出臺相關(guān)扶持政策,中國LED產(chǎn)業(yè)增速企穩(wěn)回升。2010年,在LED全彩顯示、LED背光源、LED照明等下游應(yīng)用高速發(fā)展的拉動下,包括襯底、外延、芯片、封裝在內(nèi)的中國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模高速增長到294.6億元,比2009年大幅增長33.8%。2006-2010年,中國LED產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增長率達到18.7%。
圖1 2006-2010年中國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模
襯底環(huán)節(jié)仍以低端產(chǎn)品為主,藍寶石產(chǎn)業(yè)開始大規(guī)模布局
近幾年,處于技術(shù)以及市場競爭等因素的原因,相對于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié),國內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年,眾多藍寶石襯底項目尚處在投資建設(shè)或設(shè)備調(diào)試階段,產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放,因此中國LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主,藍寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到352.5萬平方英寸,同比增長34.4%,實現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元,比2009年增長50.8%。
圖2 2006-2010年中國LED襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模
從中國襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況看,在國家半導(dǎo)體照明工程、國家863等重大專項的支持下,中國制備紅光、綠光LED用的GaAs/InP/GaP襯底材料技術(shù)已經(jīng)取得重大進展。在企業(yè)分布上,中科鎵英,國瑞電子、上海中科嘉浦、中國電子科技集團第46研究所等企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)上述產(chǎn)品的批量供應(yīng)。這些企業(yè)LED襯底產(chǎn)量已經(jīng)占據(jù)中國整體LED襯底產(chǎn)量的30%左右,從而保障了中國該類型襯底基本實現(xiàn)自主供應(yīng)。
外延環(huán)節(jié)產(chǎn)能迅速擴張,產(chǎn)品層次逐步提升
LED外延作為LED產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié),從2009年開始,在中國下游應(yīng)用市場高速發(fā)展的帶動下,中國GaN MOCVD數(shù)量開始爆發(fā)性增長,使得中國LED外延產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2010年,中國在產(chǎn)與建成調(diào)試的MOCVD數(shù)量接近300臺,實現(xiàn)量產(chǎn)的MOCVD數(shù)量超過200臺。2010年,中國LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模為12.5億元,比2009年大幅增長78.4%。
具體在產(chǎn)品上,AlGaInP外延(主要應(yīng)用于紅光LED產(chǎn)品的制備),由于該類材料生長機理以及材料特性穩(wěn)定,使得該類產(chǎn)品生長技術(shù)相對容易掌握,目前國內(nèi)該種外延產(chǎn)品發(fā)展也處于領(lǐng)先地位。由于AlGaInP外延下游應(yīng)用領(lǐng)域相對成熟,對上游外延片增長拉動較為緩慢,使得AlGaInP外延片的增速遠低于GaN外延片的增速。2010年,AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的60.2%,較2009年減小15.8個百分點。此外,藍白光LED在景觀照明、背光源等領(lǐng)域應(yīng)用規(guī)模快速擴大的推動下和國內(nèi)企業(yè)以及科研院所在材料生長技術(shù)不斷取得突破的支撐下,2010年,GaN外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的39.8%。未來三年,這一比例還將快速提升,預(yù)計2011年中國GaN外延片的產(chǎn)量將超過AlGaInP外延片。[!--empirenews.page--]
在供需方面,用于普通亮度紅光LED的外延片已經(jīng)基本實現(xiàn)自主供應(yīng)。然而,由于外延片質(zhì)量直接影響LED芯片的發(fā)光亮度和發(fā)光特性,目前,用于制備大功率高亮度紅光LED的高質(zhì)量AlGaInP外延片仍主要從臺灣及韓國等地進口。此外,由于國內(nèi)GaN外延片供應(yīng)量較小,且產(chǎn)品質(zhì)量與國際領(lǐng)先水平差距明顯,因而,國內(nèi)該類產(chǎn)品也主要依靠進口。
圖3 2006-2010年中國LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模
LED外延生產(chǎn)環(huán)節(jié)屬于資金技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),一條外延片生產(chǎn)線通常需要億元的投資,而MOCVD等外延片的核心生產(chǎn)設(shè)備業(yè)主要依賴進口,則進一步提高了中國LED外延行業(yè)的進入門檻。同時,生產(chǎn)外延片對于人才的要求比較嚴格,需要具有豐富經(jīng)驗的技術(shù)人員。這些因素導(dǎo)致目前國內(nèi)外延片生產(chǎn)企業(yè)都分布在經(jīng)濟實力強、技術(shù)人才集中的中國東部和南部沿海地區(qū)。
但隨著市場需求的逐步擴大,中國LED外延產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,在原有企業(yè)在積極擴充產(chǎn)能的基礎(chǔ)上,也不斷有新企業(yè)進入該領(lǐng)域。從企業(yè)投資趨勢來看,一方面原有企業(yè)在現(xiàn)有生產(chǎn)基地的基礎(chǔ)上進行擴產(chǎn),另一方面如廈門三安則開始在除廈門以外的天津、安徽蕪湖建立LED生產(chǎn)企業(yè),山東浪潮華光除了原有在濟南和濰坊的一廠、二廠以外,2009-2010年也開始在濟南高新區(qū)和臨沂建立另外兩個生產(chǎn)基地。此外,新進入企業(yè)也不再僅僅把投資地點選擇在上海、廈門、揚州等地區(qū),中國LED外延片投資呈現(xiàn)多處開花的局面,并且有從東部和南部沿海城市向北部以及中部城市延伸的趨勢。
由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密,行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事芯片生產(chǎn)的同時也進行外延片產(chǎn)品的生產(chǎn),從目前國內(nèi)新投資的企業(yè)看,基本上都涵蓋了外延和芯片兩個環(huán)節(jié)。而對于外資來華投資的企業(yè)來說,處于對技術(shù)流失等因素的考慮,初期仍主要以轉(zhuǎn)移芯片生產(chǎn)為主。