劍橋大學(xué)實現(xiàn)6英寸硅晶片生長氮化鎵外延

 德國愛思強股份有限公司(Aixtron)日前宣布，劍橋大學(xué)在材料科學(xué)與冶金系的新設(shè)施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應(yīng)器的調(diào)試工作。

據(jù)愛思強稱，劍橋大學(xué)該套6x2英寸的CCS系統(tǒng)將配置為可以處理一片6英寸(150毫米)的晶片，實現(xiàn)在6英寸硅晶片上生長氮化鎵外延，繼續(xù)推進劍橋大學(xué)在LED和電子設(shè)備方面的研發(fā)和實踐。

愛思強總經(jīng)理托尼·皮爾斯(TonyPearce)表示：“愛思強與劍橋大學(xué)已經(jīng)有很長時間的合作，此前劍橋大學(xué)向我們訂購一套反應(yīng)器，這次又獲得增購另一套CCS研究系統(tǒng)，這也讓我們十分自豪。劍橋大學(xué)研究小組已成功發(fā)展了一套世界領(lǐng)先的硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝，我們期待看到這套新系統(tǒng)為他們的研發(fā)工作再助一臂之力。”

英國劍橋大學(xué)氮化鎵中心不僅擁有氮化物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，還是全球為數(shù)不多同時配備電子顯微鏡、X射線衍射儀、原子力顯微鏡、光致發(fā)光(PL)和霍爾效應(yīng)設(shè)備等多種先進表征設(shè)施的研究中心。