LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

21ic訊 寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率工作性能，在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域應(yīng)用前景巨大。

LED之外，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件開始嶄露頭角：目前GaN和SiC最大的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?strong>LED行業(yè)，形成了100億美元的市場(chǎng)；除此之外，近兩年在微波功率器件和電力電子器件領(lǐng)域開始走向商業(yè)化，我們認(rèn)為未來兩年GaN和SiC功率器件市場(chǎng)將開始快速發(fā)展，潛在市場(chǎng)容量超過300億美元，未來將在軍事設(shè)備、光伏逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域開始逐步替代Si和GaAs功率器件。

GaN是微波器件的首選，在軍事領(lǐng)域?qū)⒋笳谷_：GaN適用于高頻大功率應(yīng)用，是微波器件最為理想的材料，其功率密度是現(xiàn)有GaAs器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)開始換裝GaN產(chǎn)品，軍用市場(chǎng)將在未來幾年推動(dòng)GaN微波器件的快速發(fā)展。

電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體能夠降低50%的電力損耗，SiC適用于1200V以上高壓應(yīng)用，GaN適用于中低壓高頻應(yīng)用：SiC單晶制備工藝相對(duì)成熟，同質(zhì)外延易于制備縱向結(jié)構(gòu)的器件提高耐壓性能，商業(yè)化的SiC器件耐壓在600~1200V，適用于風(fēng)力發(fā)電、鐵路機(jī)車、電網(wǎng)等大功率應(yīng)用。

GaN異質(zhì)外延缺陷密度較大，目前只能制備橫向結(jié)構(gòu)的器件，耐壓性能提升較為困難，但是GaN-on-Si成本較低，加之LED行業(yè)存在大量MOCVD外延設(shè)備可以共用，未來有望快速降低成本，廣泛應(yīng)用于UPS、光伏逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

民用領(lǐng)域商業(yè)化加速，國(guó)內(nèi)企業(yè)開始切入：2013PCIM和ICSCRM數(shù)家企業(yè)推出6寸SiC晶圓、SiC功率器件和600VGaN功率器件產(chǎn)品，2014年開始都將步入量產(chǎn)階段，顯示出SiC和GaN功率器件在民用市場(chǎng)的商業(yè)化進(jìn)程開始加速，而國(guó)內(nèi)企業(yè)也開始切入這一領(lǐng)域；SiC的難點(diǎn)在于單晶制備，國(guó)內(nèi)從事SiC晶圓生產(chǎn)的主要包括山東天岳和天富熱電，山東天岳已開始對(duì)外銷售2~4英寸SiC晶圓，6寸晶圓將于2015年開始量產(chǎn)。

GaN的難點(diǎn)在于外延生長(zhǎng)，LED龍頭三安光電已經(jīng)完成GaNHEMT功率器件的試制，進(jìn)入樣品測(cè)試階段。GaN功率元器件的外延制程同LED相近，并且對(duì)外延品質(zhì)要求更高，我們認(rèn)為L(zhǎng)ED芯片龍頭企業(yè)如三安光電、德豪潤(rùn)達(dá)等憑借在LED外延方面的技術(shù)領(lǐng)先，未來在GaN功率器件領(lǐng)域也將占得一席之地，打開新的利潤(rùn)增長(zhǎng)空間
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