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[導(dǎo)讀] “供過于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下,正孕育著新一輪的市場變革。 國內(nèi)企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間,讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%,發(fā)光亮度達(dá)到200lm以上。 國產(chǎn)

“供過于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下,正孕育著新一輪的市場變革。

國內(nèi)企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間,讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%,發(fā)光亮度達(dá)到200lm以上。

國產(chǎn)LED芯片滲透率提高

國內(nèi)芯片廠商在市場上憑借較高的性價(jià)比一步步提升了封裝廠對國產(chǎn)芯片的接受度。

從2009年起,受國內(nèi)各地方政府政策強(qiáng)勁支持以及巨大的顯示、背光和照明市場的推動(dòng),中國LED外延芯片行業(yè)飛速發(fā)展。主要生產(chǎn)設(shè)備MOCVD機(jī)臺(tái)的數(shù)量迅猛增長,從2009年的130臺(tái)一躍增長至2012年年底的917臺(tái)。

2013年,由于照明市場的快速發(fā)展,帶動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)上、中、下游產(chǎn)能發(fā)揮,一定程度上減緩了自2011年下半年出現(xiàn)的產(chǎn)能過?,F(xiàn)象,行業(yè)開始回暖。上游外延芯片領(lǐng)域產(chǎn)能利用率也由2012年的不足三成提高到了目前的平均接近六成。市場方面,由于未來幾年背光市場逐漸趨于飽和,需求將呈現(xiàn)平穩(wěn)增長態(tài)勢,下一個(gè)接棒的市場增長點(diǎn)將會(huì)來自照明市場。自2011年開始,國內(nèi)照明市場開始逐漸起量,而到2013年,照明市場需求開始大幅增長。預(yù)計(jì)未來幾年,照明市場將成為上游外延芯片廠商受益最大的細(xì)分市場。

在照明市場可期的大環(huán)境下,國內(nèi)芯片廠商也通過不斷引進(jìn)技術(shù)、人才以及加大研發(fā)投入力度,使芯片制造技術(shù)水平大幅提升,并在市場上憑借較高的性價(jià)比一步步提升了封裝廠對國產(chǎn)芯片的接受度,從中攫取到越來越多的市場份額。比如說在室內(nèi)照明和商業(yè)照明領(lǐng)域,國產(chǎn)芯片的替代速度就非常快。近期有國內(nèi)封裝大廠負(fù)責(zé)人稱:“這兩年,很多大公司沒有指定用誰的芯片,只要是芯片質(zhì)量好,都可以接受。我記得三四年前,80%的芯片都采購中國臺(tái)灣的或者是洋品牌,現(xiàn)在采購芯片,90%都開始采購中國大陸芯片。”甚至出現(xiàn)了客戶主動(dòng)要求采用大陸某品牌芯片的情形。

“增量不增利”之怪現(xiàn)象

今年設(shè)備市場需求增長穩(wěn)定,但由于價(jià)格持續(xù)下降,導(dǎo)致設(shè)備整體銷售額無明顯增加。

受益于全球經(jīng)濟(jì)整體復(fù)蘇以及終端照明市場的拉動(dòng),2013年前三季度,國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)整體經(jīng)營狀況較去年同期明顯改觀。但由于受下游應(yīng)用市場價(jià)格下滑大趨勢和行業(yè)競爭加劇現(xiàn)狀的影響,上游芯片廠商反而陷入毛利率下滑——“增收不增利”的尷尬困境。分析個(gè)中原因,上游芯片價(jià)格“跌跌不休”主要是由于前幾年過度投資引發(fā)產(chǎn)能急劇擴(kuò)張,而市場又一時(shí)無法完全消化引起的。供過于求所最終導(dǎo)致的高庫存是造成芯片大幅跌價(jià)的根本原因。鑒于市場價(jià)格壓力,廠商不得不以較低的價(jià)格拋售此前以高成本產(chǎn)出的芯片,從而影響了企業(yè)的毛利率水平,最終導(dǎo)致“增收不增利”。不僅是上游的芯片段,微利甚至是無利現(xiàn)象亦在下游照明以及更上游的設(shè)備業(yè)蔓延。以北方微電子公司為例,雖然整體上設(shè)備市場需求增長穩(wěn)定,公司設(shè)備銷售量增長較快,但由于價(jià)格持續(xù)下降,導(dǎo)致設(shè)備整體銷售額與上年同期相當(dāng)。

“供過于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下,正孕育著新一輪的市場變革。今年以來,業(yè)內(nèi)頻頻出現(xiàn)擴(kuò)產(chǎn)、并購甚至倒閉的事件,上游芯片行業(yè)開始呈現(xiàn)收攏集中的態(tài)勢,未來中國的LED局面將由“十國混戰(zhàn)”變?yōu)椤叭龂αⅰ?。產(chǎn)業(yè)整合的結(jié)果是行業(yè)資源越來越向優(yōu)勢企業(yè)集中,在LED上游外延芯片領(lǐng)域,未來將會(huì)形成以幾家龍頭企業(yè)為首的市場格局。目前的產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重,但長遠(yuǎn)來看,企業(yè)以“價(jià)格戰(zhàn)”獲取市場只是短期行為。近期企業(yè)間整合并購事件頻出的現(xiàn)象,也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展到一定階段即需要淘汰落后產(chǎn)能、落后技術(shù)和落后管理的必經(jīng)過程。

整合期過后是立體競爭

未來客戶需求將不再是原先平面的、單一的,而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。

從各大媒體近期發(fā)布的2013年LED上游上市公司第三季報(bào)來看,主流芯片廠商處境已較去年同期有較大改善,芯片價(jià)格降幅也已收窄,部分企業(yè)芯片售價(jià)還可以達(dá)到與上季度持平的水平。有國內(nèi)知名芯片企業(yè)負(fù)責(zé)人認(rèn)為,接下來芯片價(jià)格既不會(huì)上漲也不會(huì)有太多下降。芯片產(chǎn)業(yè)馬上就要進(jìn)入一個(gè)產(chǎn)品性能比拼的時(shí)代。

業(yè)內(nèi)的企業(yè)家不乏“價(jià)格戰(zhàn)”后是“技術(shù)戰(zhàn)”的論斷,他們認(rèn)為,現(xiàn)在的LED芯片,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到理論的發(fā)光效果。在中國很多企業(yè),包括外企,都在做一些更深層次的技術(shù)研發(fā)工作。國內(nèi)企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間,讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%,發(fā)光亮度達(dá)到200lm以上。他們同樣也認(rèn)為,技術(shù)戰(zhàn)是真正拼企業(yè)實(shí)力的時(shí)候,因?yàn)檠邪l(fā)需要大量投入。在這個(gè)階段,很多企業(yè)如果跟不上,就只能是寄希望于下游其他替代產(chǎn)品的產(chǎn)生來刺激需求。

事實(shí)上,經(jīng)過幾年來市場的跌宕起伏,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)最終沉淀下來的企業(yè)也會(huì)變得更加成熟和理性,這種態(tài)度對照明市場尤為寶貴,畢竟能經(jīng)得起時(shí)間考驗(yàn)、性能可靠的產(chǎn)品才能最終贏得客戶。再追溯到產(chǎn)業(yè)鏈的上游,雖然降價(jià)對于客戶的吸引力效果仍然直接,但降價(jià)已不再是讓下游客戶買單的唯一理由了。除了價(jià)格,性能及可靠性甚至品牌等都是客戶考量的重要因素。不難看出,未來客戶需求將不再是原先平面的、單一的,而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。作為企業(yè)自身來講,尋找最大讓利和最好服務(wù)兩者兼具的平衡點(diǎn)才是最能打動(dòng)客戶的方法?;蛟S我們可以認(rèn)為,國產(chǎn)LED芯片后價(jià)格戰(zhàn)時(shí)代的市場,正緩緩轉(zhuǎn)身,迎面而來。

技術(shù)升級(jí)需提前布局

一代器件即會(huì)要求一代工藝、一代設(shè)備,設(shè)備企業(yè)要以領(lǐng)先一步的工藝解決方案為客戶帶來長遠(yuǎn)價(jià)值。

在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域,造成國產(chǎn)設(shè)備占有率相對偏低的主要原因是中國芯片制造技術(shù)達(dá)不到世界領(lǐng)先,所以設(shè)備選型也以國外成熟工藝和設(shè)備為主。但對于蓬勃發(fā)展的中國LED產(chǎn)業(yè),經(jīng)歷第一階段的“無序競爭”后,步入整合優(yōu)化階段,會(huì)有更多的資源和潛力來實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新。

為順應(yīng)這一行業(yè)發(fā)展形勢,北方微電子公司提前研發(fā)了下一代設(shè)備并與客戶進(jìn)行合作驗(yàn)證。比如目前正在研發(fā)的一個(gè)項(xiàng)目是采用先進(jìn)的Sputter技術(shù)制備優(yōu)質(zhì)的AlN緩沖層——即在藍(lán)寶石襯底上生長一層AlN薄膜作為緩沖層。增加AlN緩沖層不僅可以更好地與藍(lán)寶石進(jìn)行晶格匹配,更可有效減少下一步外延生長時(shí)間、降低原材料消耗,最終達(dá)到提高產(chǎn)能并降低成本的目的。除此之外,AlN的導(dǎo)熱性也遠(yuǎn)好于藍(lán)寶石,可有效改善LED芯片的散熱性,從而提升LED器件性能的可靠性。如果設(shè)備硬件設(shè)計(jì)合理,可有效解決AlN緩沖層沉積均勻性和重復(fù)性的問題,但要實(shí)現(xiàn)與后道工藝的匹配,則需要與外延芯片廠商進(jìn)行合作工藝開發(fā)。目前國內(nèi)已經(jīng)有數(shù)家主流的外延芯片廠商積極與北方微電子配合進(jìn)行AlN緩沖層配套工藝的開發(fā),并以此作為未來差異化競爭的技術(shù)儲(chǔ)備之一。 [!--empirenews.page--]

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