納芯微推出國內(nèi)首款集成隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片
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-- 內(nèi)置片上變壓器,單芯片同時(shí)解決電源隔離和信號(hào)隔離
蘇州2019年9月29日 /美通社/ -- 國內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微電子”)今日宣布推出國內(nèi)首款集成了隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片 NSiP884x?;诩{芯微電子獨(dú)有的TFPowerTM技術(shù),NSiP884x 系列產(chǎn)品將內(nèi)置有片上變壓器的隔離DC/DC電源電路以及四通道高速數(shù)字隔離集成在一起,用戶只需在電源輸入輸出上各加兩個(gè)濾波電容就能實(shí)現(xiàn)電源隔離和信號(hào)隔離,全集成式的方案極大程度地降低了用戶的開發(fā)難度,節(jié)省了用戶開發(fā)時(shí)間,可幫助用戶更快地將產(chǎn)品推向市場。
納芯微推出國內(nèi)首款集成隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片NSiP884x
納芯微電子于2017年推出標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片產(chǎn)品,現(xiàn)已獲得國內(nèi)外眾多大客戶的認(rèn)可,包括兩/三/四通道標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片、雙向I2C數(shù)字隔離芯片、隔離 RS-485 收發(fā)器等在內(nèi)的產(chǎn)品均已批量出貨。此次推出的 NSiP884x 系列產(chǎn)品從根本上解決了隔離電源的設(shè)計(jì)難點(diǎn),用戶不必再為如何選取高可靠性、參數(shù)合適的變壓器而煩惱,高集成度的特性使得 NSiP884x 尤其適用于體積受限的應(yīng)用場合。NSiP884x 系列產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的 SOIC16 傳統(tǒng)封裝,制造全程穩(wěn)定可控,出廠時(shí)經(jīng)過了嚴(yán)格的耐高壓測試和性能參數(shù)測試,產(chǎn)品具有一致性高,可靠性高的特點(diǎn),適用于對(duì)可靠性要求極高的車載和軍工應(yīng)用環(huán)境。
NSiP884x內(nèi)部功能示意圖
在解決電源隔離和信號(hào)隔離的難題時(shí),比較常見的應(yīng)用方案是將隔離電源模塊搭配數(shù)字隔離芯片或光耦,或是通過外加變壓器搭建隔離電源的方案來解決上述問題,但隔離電源模塊存在如下一些缺點(diǎn):
- 器件體積較大、高度較高,應(yīng)用場合受限
- 不易實(shí)現(xiàn)高耐壓,特別是加強(qiáng)絕緣
- 無數(shù)字隔離通道
- 可靠性較低
- 成本較高
在解決電源隔離和信號(hào)隔離的難題時(shí)通常采用隔離電源模塊的方案
相較于上述方案,NSiP884x 實(shí)現(xiàn)了單顆芯片同時(shí)解決電源隔離和信號(hào)隔離的雙重難題,使用操作更加簡單,并且不需要設(shè)計(jì)復(fù)雜的隔離電源電路。
NSiP884x 性能特點(diǎn)
- 內(nèi)部集成電源和信號(hào)隔離,集成度高,易用性強(qiáng)
- 輸出負(fù)載能力大于100mA
- 高隔離耐壓 >5kVrms
- 工作效率達(dá)到48%
- 工作溫度范圍:-40攝氏度~125攝氏度
- 寬輸入輸出范圍:支持3.3-5.5V input
- 高抗EMC性能:超過10kV的系統(tǒng)ESD能力,超過10kV的浪涌能力
- 低EMI性能:滿載輸出,通過簡單PCB設(shè)計(jì),滿足CISPR 32 CLASS B的要求
- 具有過溫保護(hù)和輸出短路保護(hù)
- 具有softstart功能
- 支持電源電壓和數(shù)字隔離邏輯電平分開
- 支持電源輸出不使能,低功耗模式
NSiP884x 采用 SOIC16WB 封裝形式,可與市場上主流的同類產(chǎn)品 pin to pin 兼容。NSiP884x 的電源工作效率為48%,比同類產(chǎn)品高出15%,工作溫升值為68.5攝氏度,支持 softstart 電源特性,低EMI的特性使其更適用于對(duì)可靠性有要求的應(yīng)用環(huán)境。
NSiP884x的工作溫升值為68.5攝氏度,同類產(chǎn)品的工作溫升值為164.3攝氏度
NSiP884x 系列產(chǎn)品具有優(yōu)異的性能,并兼具有極高的性價(jià)比。
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