TD-LTE手機(jī)芯片需達(dá)28nm 兩年后有望成高端市場(chǎng)主流

10月31日上午消息（孫劍）TD-LTE作為新一代寬帶移動(dòng)通信技術(shù)，其發(fā)展受到了業(yè)界的高度關(guān)注。如今，在國(guó)內(nèi)政府的大力支持與指導(dǎo)下、在中國(guó)移動(dòng)集團(tuán)公司的大力扶持與推動(dòng)下，我國(guó)的TD-LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，在逐步解決了TD-LTE技術(shù)方面的問(wèn)題后，未來(lái)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的生態(tài)鏈規(guī)模以及其商用化等問(wèn)題成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。

近日，大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)副總裁陳山枝公開(kāi)表示，為滿足TD-LTE規(guī)模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手機(jī)芯片主流工藝需要達(dá)到28nm。“預(yù)計(jì)28nm工藝成為高端市場(chǎng)主流仍需至少兩年時(shí)間。”他說(shuō)。

隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的快速發(fā)展，近期全球移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶數(shù)與移動(dòng)數(shù)據(jù)流量均呈快速增長(zhǎng)趨勢(shì)，其中移動(dòng)數(shù)據(jù)流量更實(shí)現(xiàn)了爆炸式增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，去年全球?qū)嶋H移動(dòng)數(shù)據(jù)流量是03年預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)的4.7倍。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2014年移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶將超過(guò)固網(wǎng)用戶，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶在手機(jī)用戶中滲透率將超30%。

在TD終端芯片方面，截至目前TD-SCDMA終端芯片出貨量已經(jīng)超過(guò)7000萬(wàn)，明年TD-SCDMA的滲透率將達(dá)到10%。

對(duì)此陳山枝表示：“從WCDMA近年的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，當(dāng)用戶達(dá)到10%之后，會(huì)進(jìn)入增長(zhǎng)的拐點(diǎn)?？梢赃@樣說(shuō)，明年TD終端的發(fā)展將進(jìn)入爆發(fā)期，這對(duì)于手機(jī)終端與芯片廠家來(lái)說(shuō)，都是一個(gè)良性循環(huán)。”

眾所周知，作為T(mén)D-SCDMA的長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)，TD-LTE將與TD-SCDMA長(zhǎng)期共存并協(xié)調(diào)發(fā)展。這勢(shì)必將提升我國(guó)產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，并帶動(dòng)全球制造業(yè)共同提升TD-LTE基礎(chǔ)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在TD-LTE時(shí)代，也能比TD-SCDMA獲得更廣泛的空間。

另一方面，與TD-SCDMA的發(fā)展歷程不同，TD-LTE不僅是實(shí)現(xiàn)我國(guó)通信產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)全球的重大歷史機(jī)遇，更是實(shí)現(xiàn)中國(guó)產(chǎn)業(yè)升級(jí)與創(chuàng)新發(fā)展的需要，是實(shí)現(xiàn)中國(guó)產(chǎn)業(yè)質(zhì)的飛躍的良機(jī)。

在充分肯定TD-LTE發(fā)展前景的同時(shí)，陳山枝也坦言：“從TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，目前我國(guó)TD-LTE多模多終端芯片仍處于前期開(kāi)發(fā)階段。”

據(jù)了解，隨著芯片生命周期的縮短，芯片產(chǎn)品升級(jí)換代也越發(fā)頻繁，芯片廠商必須將不同方案盡快推向市場(chǎng)，并降低開(kāi)發(fā)成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，才更加容易贏得市場(chǎng)。因此，芯片廠商要在性能、集成度、成本、開(kāi)發(fā)易用性等方面下工夫。

據(jù)陳山枝透露，為滿足TD-LTE規(guī)模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手機(jī)芯片主流工藝需要達(dá)到28nm，而目前世界主流工藝為65nm。“預(yù)計(jì)仍需至少兩年時(shí)間，28nm才有望在高端市場(chǎng)成為主流工藝。”
此外，工業(yè)和信息化部電信研究院院長(zhǎng)曹淑敏也于近日表示，終端是TD-LTE發(fā)展的重點(diǎn)，而目前TD-LTE終端主要集中在數(shù)據(jù)卡部分，這是一種自然發(fā)展規(guī)律。“終端發(fā)展必然是從單模到多模，多芯片到單芯片，數(shù)據(jù)卡到手機(jī)。而工藝是將是65nm到45nm到28nm。”她說(shuō)。

此外值得一提的是，截至今年9月26日，由中國(guó)移動(dòng)聯(lián)合11大系統(tǒng)設(shè)備廠商、3家芯片廠商進(jìn)行的六城市TD-LTE規(guī)模商用試驗(yàn)已全部結(jié)束，并已經(jīng)形成全球通信研發(fā)制造企業(yè)廣泛參與的完整產(chǎn)業(yè)鏈體系。“第二階段的測(cè)試工作也即將開(kāi)始，而測(cè)試的重點(diǎn)是多模終端。”