英飛凌新型LTE低噪聲放大器LNA Bank讓智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率提升96%

21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出旨在提高智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。

LTE(也稱(chēng)為4G)是無(wú)線(xiàn)通信最新標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá)300 Mbit/s的數(shù)據(jù)速率，而最新的UMTS (3G) 版本僅支持 56 Mbit/s。這使得智能手機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)連接的加載時(shí)間大幅縮短，顯著提高智能手機(jī)用戶(hù)的舒適性和滿(mǎn)意度。

但是，使用目前的移動(dòng)設(shè)備滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)LTE高數(shù)據(jù)速率的期望仍具有挑戰(zhàn)性。射頻前端復(fù)雜度的增加要求使用更多的射頻組件(如射頻開(kāi)關(guān)、雙工器和分路器)。這將導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損耗增加并使信噪比(SNR)降低。不僅如此，天線(xiàn)和射頻收發(fā)器之間的距離會(huì)導(dǎo)致額外的線(xiàn)路損耗，而線(xiàn)路損耗也會(huì)對(duì)信噪比 (SNR) 產(chǎn)生負(fù)面影響，進(jìn)而降低數(shù)據(jù)速率。

英飛凌BGA7x1N6和BGM7xxxx4L12系列提供低噪聲系數(shù)、精確的增益和高線(xiàn)性度，可幫助智能手機(jī)設(shè)計(jì)師克服這些困難。這些產(chǎn)品采用英飛凌高級(jí)SiGe(硅鍺)芯片技術(shù)并內(nèi)置ESD保護(hù)。

新型LNA和LNA Bank均可放置于智能手機(jī)的分集和主天線(xiàn)路徑上，可增加系統(tǒng)靈敏度并確保最佳的用戶(hù)體驗(yàn)。它們支持的數(shù)據(jù)速率比未配備LNA的解決方案高出96%，可完全開(kāi)發(fā)LTE的潛力。即使在天線(xiàn)隔離度較差并且天線(xiàn)與收發(fā)器之間存在較大線(xiàn)路損耗的情況下，新設(shè)備系列的高線(xiàn)性度仍可確保最佳接收性能。與未配備LNA的系統(tǒng)相比典型靈敏度提高了 3.4 dB，而所需設(shè)備尺寸卻比之前可用的LNA Bank小61% (1.9 mm x 1.1mm)。

供貨與包裝

英飛凌提供3款LTE LNA和7款四頻LNA Ban系列，可滿(mǎn)足世界不同地區(qū)頻帶配置的要求。系列中的每個(gè)字母都代表不同的頻帶(L代表低頻，0.7到1.0 GHz頻帶;M代表中頻，1.7到2.2 GHz頻帶;H代表高頻，2.3 到2.7GHz頻帶)。

· BGA7L1N6

· BGA7M1N6

· BGA7H1N6

· BGM7LLHM4L12

· BGM7LLMM4L12

· BGM7MLLH4L12

· BGM7MLLM4L12

· BGM7LMHM4L12

· BGM7HHMH4L12

· BGM7MHLL4L12

設(shè)備使用符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)的TSNP-6-2或TSLP 12-4塑料包裝進(jìn)行裝運(yùn)。