中國半導(dǎo)體業(yè)探尋增長良策

2月25日-26日，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院和上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)共同主辦的“2009年中國半導(dǎo)體市場年會(huì)”在上海舉行。本屆年會(huì)對2008年國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了回顧并對2009年的產(chǎn)業(yè)形勢進(jìn)行了分析和判斷。盡管國際金融危機(jī)對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成了很大的負(fù)面影響，但在中國經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長這一大背景下，全球半導(dǎo)體廠商繼續(xù)來華投資的整體態(tài)勢不會(huì)改變，中國集成電路產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)較快發(fā)展的大趨勢也不會(huì)改變。

從合理調(diào)整轉(zhuǎn)為深度下滑

盡管早在2008年年初全球半導(dǎo)體業(yè)界就對當(dāng)年的市場前景做出了較為悲觀的預(yù)測，但由美國次貸危機(jī)引發(fā)的國際金融危機(jī)在2008年下半年向全球蔓延之后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退之快、程度之重，仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出人們的意料。根據(jù)SIA最近發(fā)布的數(shù)據(jù)，2008全年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為2486.03億美元，比2007年下跌2.8%；半導(dǎo)體設(shè)備市場也損失慘重，據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體業(yè)固定資產(chǎn)投資在2008年為490億美元，比2007年下降27.3%。

中國集成電路產(chǎn)業(yè)同樣在2008年遭遇了寒冬。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長俞忠鈺在本次年會(huì)上介紹，2008年中國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1246.82億元，比2007年下降0.4%，雖然在產(chǎn)品數(shù)量上增長了1.3%，但受價(jià)格下降的影響，出現(xiàn)了近20年來中國集成電路產(chǎn)業(yè)首次年度負(fù)增長。

從集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造以及封裝測試三業(yè)2008年的發(fā)展情況看，除集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍保持一定的增長外，芯片制造與封裝測試業(yè)均出現(xiàn)不同程度的下滑。其中芯片制造業(yè)下降1.3%，封裝測試業(yè)下降1.4%，集成電路設(shè)計(jì)業(yè)雖然仍實(shí)現(xiàn)了4.2%的增長，但與2007年21.2%的增幅相比，增速也出現(xiàn)大幅下滑。

產(chǎn)業(yè)整體走勢由合理調(diào)整迅速轉(zhuǎn)為深度下滑，是2008年中國集成電路產(chǎn)業(yè)所呈現(xiàn)出的首要特點(diǎn)。俞忠鈺表示，在國際金融危機(jī)爆發(fā)之前，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的走勢基本正常，受匯率、成本等因素的影響，產(chǎn)業(yè)增速的小幅回調(diào)是合理的，也是在經(jīng)歷前幾年高速增長之后調(diào)整節(jié)奏、夯實(shí)基礎(chǔ)所必需的。與此同時(shí)，以內(nèi)需市場為主的設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)一定增長，芯片制造業(yè)與封裝測試業(yè)雙雙出現(xiàn)下滑則是因?yàn)槠鋰?yán)重依賴出口，這也說明內(nèi)需市場對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性正在不斷提升。另外，國際半導(dǎo)體企業(yè)正繼續(xù)加大對中國的投資與市場開拓力度，從經(jīng)營業(yè)績看，瑞薩、英飛凌、快捷半導(dǎo)體、海力士-意法等企業(yè)在中國的公司2008年銷售收入增幅基本都在20%以上。

面向內(nèi)需加快市場拓展

展望2009年，俞忠鈺認(rèn)為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)以下態(tài)勢：中國半導(dǎo)體市場將保持一定增長；一批以內(nèi)需市場為主的集成電路企業(yè)將隨著擴(kuò)大內(nèi)需政策的逐步實(shí)施而在下半年明顯好轉(zhuǎn)，并有望最先走出此次國際金融危機(jī)的陰影；以出口為主的企業(yè)將遇到嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，這些企業(yè)要加快轉(zhuǎn)型升級，開辟新的市場空間；產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)前低后高的走勢，下半年將出現(xiàn)明顯回升。他同時(shí)認(rèn)為，今后3年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)較快發(fā)展。

內(nèi)需市場是中國集成電路產(chǎn)業(yè)在2009年實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)的希望所在，尤其是“家電下鄉(xiāng)”政策的推廣和3G牌照的發(fā)放更讓人寄予厚望。據(jù)測算，連續(xù)4年在全國農(nóng)村實(shí)施“家電下鄉(xiāng)”，每年可拉動(dòng)農(nóng)村家電銷售超過1000億元，可實(shí)現(xiàn)家電下鄉(xiāng)產(chǎn)品銷售近4.8億臺(tái)；按照3家電信企業(yè)3G建設(shè)規(guī)劃，2009年3G建設(shè)總投資將達(dá)1700億元，3年內(nèi)覆蓋所有地市，投資約4000億元。

盡管國家政策為中國半導(dǎo)體企業(yè)提供了市場機(jī)遇，但是，在這些領(lǐng)域我們同樣會(huì)面臨與國際巨頭的競爭，這就要求中國企業(yè)除了在已有的市場領(lǐng)域內(nèi)提升競爭實(shí)力之外，還應(yīng)該關(guān)注新興領(lǐng)域、抓住市場熱點(diǎn)。賽迪顧問股份有限公司高級副總裁呂國英認(rèn)為，企業(yè)不能單純地從上下游來觀察市場的變化，還要從用戶的需求出發(fā)來預(yù)測未來國內(nèi)市場的趨勢，才能把握得更加準(zhǔn)確。

從“發(fā)現(xiàn)市場”到“占領(lǐng)市場”，其中一個(gè)不可或缺的要素就是自主創(chuàng)新。全球半導(dǎo)體聯(lián)盟亞太區(qū)執(zhí)行長王智立表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)以技術(shù)為導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)，只有持續(xù)不斷地投入研發(fā)，并且通過研發(fā)提升自己的核心競爭力，企業(yè)才能戰(zhàn)勝當(dāng)前的危機(jī)。南通富士通股份有限公司董事長石明達(dá)則表示，南通富士通的技術(shù)創(chuàng)新堅(jiān)持兩個(gè)原則，一是圍繞國家的戰(zhàn)略規(guī)劃開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)，二是尋求低成本的技術(shù)解決方案如材料的本地化等。他甚至認(rèn)為，從某種意義上講，不是低成本的技術(shù)就不能算高新技術(shù)。

支撐業(yè)創(chuàng)新力度加大

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體低迷，設(shè)備業(yè)和材料業(yè)也同樣陷入衰退之中。但中國企業(yè)并沒有因此放緩前進(jìn)的腳步，而是著眼于技術(shù)創(chuàng)新，開拓新的市場空間。

據(jù)中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司刻蝕部首席專家倪圖強(qiáng)博士介紹，目前中微半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)了65納米、45納米的等離子體刻蝕設(shè)備，在韓國、新加坡以及我國臺(tái)灣地區(qū)的幾家芯片制造廠展示了性能，并且得到客戶的認(rèn)可，目前已經(jīng)在4條生產(chǎn)線上運(yùn)行。這表明在介電質(zhì)等離子體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，中國公司已經(jīng)具備了參與國際競爭的能力。

在封裝設(shè)備領(lǐng)域，中國企業(yè)也推出了多項(xiàng)具有國際競爭力的產(chǎn)品。大連佳峰電子有限公司總經(jīng)理王云峰在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，該公司的全自動(dòng)上片機(jī)填補(bǔ)了國內(nèi)空白，并且由于有效地控制了成本，售價(jià)僅相當(dāng)于國外同類設(shè)備價(jià)格的1/2。

隨著太陽能電池市場的升溫，設(shè)備廠家在光伏設(shè)備市場也開辟了新的戰(zhàn)線。北京京運(yùn)通科技有限公司突破歐美廠家的技術(shù)控制，推出了達(dá)到國際先進(jìn)水平的多晶硅鑄錠爐。該公司范朝明副董事長告訴本報(bào)記者，為增強(qiáng)研發(fā)能力、拓展市場空間，京運(yùn)通不僅聘請了美國、日本的專家，還在美國成立了研發(fā)中心，組建了一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，河北普興的8英寸VDMOS(垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體)用硅外延片已初步形成規(guī)模生產(chǎn)，2008年銷售量達(dá)到1.7萬片，8英寸硅外延片的推廣將有效降低VDMOS器件的成本。萬向硅峰電子股份有限公司總工程師董堯德在接受本報(bào)記者采訪時(shí)表示，萬向硅峰的單晶硅片面向分立器件、集成電路和太陽能電池三個(gè)領(lǐng)域，目前在空間太陽能電池領(lǐng)域具有優(yōu)勢。據(jù)他介紹，空間太陽能電池通常在轉(zhuǎn)換效率、硅片強(qiáng)度、抗輻射、衰減幅度等性能指標(biāo)上優(yōu)于地面太陽能電池，該公司正致力于通過技術(shù)創(chuàng)新把這些優(yōu)勢轉(zhuǎn)移到地面太陽能電池領(lǐng)域。