按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預(yù)測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。
ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。
按ICInsight觀點芯片產(chǎn)能利用率又回復(fù)到金融危機之前的水平
McClean表示，雖然產(chǎn)能利用率還沒有低到2001年時全年的最低水平71.2%，但是它認(rèn)為09年的水平僅77.4%。由于08及09兩年的投資大幅減少，導(dǎo)致產(chǎn)能可能不足，而使 IC的ASP平均售價上升，并估計在2010-2012的三年期間，每年有5%的增長。
SEMI的全球Fab預(yù)測
據(jù)SEMI報道，2009年全球因為有31個fab關(guān)閉，而使總的產(chǎn)能下降2-3%。明年產(chǎn)能將緩慢的回升，估計增長4-5%，達每月總計2150萬片(等值200mm計) 。在2010年的投資，主要是用于fab的升級改造，而不再是產(chǎn)能的擴大。
SEMI的fab預(yù)測看到明年的fab升級改造是占投資的主要部分
在09年的240億美元投資中，有140億美元來自全球的六家公司，包括如Global Foundries，Inotera(Micron和南亞的合資廠)，Intel，Samsung，Toshiba及TSMC。這六家公司在挑戰(zhàn)經(jīng)濟危機中仍將在未來兩年中大量的投資。
Global Foundries在阿布扎比的ATIC支持下，09年投6-7億美元，未來兩年中每年投資超過10億美元。ATIC已承諾在未來5年內(nèi)為Global Foundries共計投資60億美元。
SEMI報告中指出，Inotera宣布，為推進70納米的溝槽式技術(shù)向50納米的堆疊電容器技術(shù)轉(zhuǎn)移，將采用浸入式光刻機，所以預(yù)計投資達16億美元。Inotera是在臺塑集團的支持下，因其是南亞的母公司。生產(chǎn)線的設(shè)備更新計劃從今年底開始，—直延續(xù)到明年，預(yù)計直到2010年的化費達10億美元。
Intel宣布在未來的兩年中投資70億美元，用來升級現(xiàn)在的生產(chǎn)線到32納米。預(yù)計2009年中化費30-40億美元，及剰下的在2010年中花完。
Samsung要將在美國Austin的200mm DRAM生產(chǎn)線轉(zhuǎn)成300mm的專為NAND生產(chǎn)的后道生產(chǎn)線(BEOL)，用來支持現(xiàn)有的300mm NAND生產(chǎn)線。SEMI的全球Fab預(yù)測報告中預(yù)計，三星與2010的投資合并在一起，總計達40-50億美元，主要用于Austin的改造以及在韓國的15 line與16 line中。
東芝正欲從全球股市中慕集30億美元，用來投資它的生產(chǎn)線。在過去的8年中作為一家非金融性公司的最大股市集資。東芝計劃今年有10億美元，明年再有20億美元。非常可能2011年更多。SEMI認(rèn)為這些資金將用于全球日益增長的NAND 閃存的需求，2009年增加到70-150億gigabytes及2011/2012年時為300-500億 gigabytes。
TSMC的今年投資計劃修正已是第二次，在7月時更新為今年投資23億美元及2010年的大于20億美元。
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