2010年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可達369億美元

Gartner預(yù)期，半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的所有部門在2010年的成長表現(xiàn)會格外強勁，成長態(tài)度會延續(xù)至2012年（參考下表）。

2009~2014年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出預(yù)測（單位：百萬美元）

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（來源：Gartner，2010年9月）

國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner預(yù)估，2010年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望達到369億美元，較2009年的166億美元大幅成長122.1%；該機構(gòu)同時預(yù)期2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將微幅增加4.9%。

Gartner副總裁KlausRinnen表示：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2010年呈現(xiàn)的強勁成長，帶動半導(dǎo)體資本支出的空前成長佳績。由于晶圓代工和邏輯IC的大幅支出，加以內(nèi)存制造商追求技術(shù)升級，資本支出（Capex）的年增率超過95%。不過在2011年，資本支出的成長率預(yù)期將減緩至10%，因為總體經(jīng)濟成長趨緩，也會對電子和半導(dǎo)體銷售造成負面沖擊。”

Rinnen進一步表示：“考慮到設(shè)備采購會更聚焦于產(chǎn)能提升、而不是技術(shù)設(shè)備上，企業(yè)應(yīng)該為2011年趨緩的景氣預(yù)做因應(yīng)的生產(chǎn)計畫。企業(yè)亦應(yīng)為始于2012年晚期的下一輪設(shè)備景氣循環(huán)的下滑階段，預(yù)先規(guī)劃好業(yè)務(wù)計畫，因為內(nèi)存廠商的過度投資恐會導(dǎo)致設(shè)備產(chǎn)能過剩。

以各設(shè)備類別來看，2010年的晶圓廠設(shè)備（WFE）部門是近年來表現(xiàn)最為亮眼的一年，預(yù)計可于今年勁揚119.9%，2011年的增幅則為3.9%。Gartner指出，整體產(chǎn)能使用率在2010年第二季到達94%的高峰，但未來隨著產(chǎn)能增加，以及半導(dǎo)體生產(chǎn)隨著終端需求而趨緩，產(chǎn)能利用率會快速回落至90%左右。

2010年封裝設(shè)備部門（PAE）的年增率估計可超過123%，且接下來可維持個位數(shù)溫和成長速度至2012年。不過到了2013年，Gartner認為該領(lǐng)域?qū)⒁蚬┻^于求的傳統(tǒng)因素而導(dǎo)致衰退，特別在內(nèi)存設(shè)備市場；此一情況也同樣反映在銅線接合產(chǎn)能擴充的大幅下滑。

在Gartner的預(yù)測中，全球的自動測試設(shè)備（ATE）市場2010年將成長144%。今年上半年呈穩(wěn)定成長，但預(yù)期將在今年晚期和明年初期出現(xiàn)季節(jié)性衰退。該機構(gòu)所提出的2010和2011年的成長預(yù)測，主要系受轉(zhuǎn)換至DDR3內(nèi)存測試制程的帶動。2010年整體自動測試設(shè)備將帶來超過110%的收益增長。

Rinnen指出：“2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)前所未有的強勁表現(xiàn)，從谷底明顯反彈。由于企業(yè)采購從技術(shù)升級轉(zhuǎn)向產(chǎn)能設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將持續(xù)成長至2012年。”