2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出排行榜預(yù)測(cè)

投資銀行BarclaysCapital調(diào)高了對(duì)2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出金額的預(yù)測(cè)；該銀行分析師C.J.Muse表示：“我們看到廠商的共識(shí)是由持平朝增加5~10%接近。”
　　
“特別是，我們看到閃存廠商支出可望成長(zhǎng)有36%的年成長(zhǎng)，達(dá)到98億美元；邏輯芯片廠商支出可望有4%以上的年成長(zhǎng)，達(dá)到116億美元水平；晶圓代工廠商資本支出最高可望有4%的年成長(zhǎng)，達(dá)到139億美元；DRAM廠商資本支出可望年成長(zhǎng)12%，達(dá)到107億美元。”Muse指出。
　　
至于誰會(huì)是2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界出手最闊綽的大戶？答案是韓國三星電子(SamsungElectronics)，接下來二至十名廠商是臺(tái)積電(TSMC)、英特爾(Intel)、GlobalFoundries、Hynix、Micron/IMFlash、東芝(Toshiba)、聯(lián)電(UMC)、SanDisk與德州儀器(TI)。