[導讀]綜合外電DRAM晶片供過于求使價格下滑，2011年全球半導體景氣較2010年減少0.1%，整體市場規(guī)模停留在3,000億美元。然自2012年第2季起，半導體庫存水位降低，將可望進入恢復期，估計可成長4.6%。南韓電子新聞指出，2012
綜合外電DRAM晶片供過于求使價格下滑，2011年全球半導體景氣較2010年減少0.1%，整體市場規(guī)模停留在3,000億美元。然自2012年第2季起，半導體庫存水位降低，將可望進入恢復期，估計可成長4.6%。
南韓電子新聞指出，2012年半導體市場景氣逐漸好轉，2013年將轉為旺季。2010年半導體景氣受DRAM銷售暢旺帶動，出現高成長，然2011年因DRAM供過于求，才出現市場停滯。2012年半導體投資將驟減19%，第2季起DRAM供需關系恢復平衡，市場景氣將逐漸回暖。2012年半導體市場規(guī)模預估可達到3,129億美元，2013年則可望成長9.3%，至3,420億美元。
2011年半導體市場惡化的主因在于DRAM晶片，自2010年底開始出現供貨過剩的情況，價格大跌50%，預估業(yè)界營收將減少26%。受到市場不景氣影響，DRAM業(yè)者縮減投資規(guī)模，2012年供過于求問題解決后，情況可望好轉。
DRAM市場上仍由三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等韓系大廠穩(wěn)握主導權，并維持其市場支配力。三星未來數年間仍可望引領市場，海力士目前看來也呈現強勢。美國美光(Micron)正逐漸提升產能，日本爾必達(Elpida)則透過臺廠力晶擴大產量等，3大廠將會角逐競爭前4強地位。
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NANDFlash在2012年初價格將會跌至每Gb1美元以下，固態(tài)硬碟需求逐漸攀升。伴隨著SSD等新需求擴大，NANDFlash產量若持續(xù)增加，至2014年時可望超越DRAM的市場規(guī)模。然而2012年在擴大出貨量的同時，轉換為10奈米級微細制程，可能會因價格調整使整體市場出現停滯。
此外，手機、平板電腦、SSD等3大品項未來數年間，在半導體應用市場上的比重將達75%，居主導地位，并持續(xù)引領需求攀升。
南韓電子新聞指出，2012年半導體市場景氣逐漸好轉，2013年將轉為旺季。2010年半導體景氣受DRAM銷售暢旺帶動，出現高成長，然2011年因DRAM供過于求，才出現市場停滯。2012年半導體投資將驟減19%，第2季起DRAM供需關系恢復平衡，市場景氣將逐漸回暖。2012年半導體市場規(guī)模預估可達到3,129億美元，2013年則可望成長9.3%，至3,420億美元。
2011年半導體市場惡化的主因在于DRAM晶片，自2010年底開始出現供貨過剩的情況，價格大跌50%，預估業(yè)界營收將減少26%。受到市場不景氣影響，DRAM業(yè)者縮減投資規(guī)模，2012年供過于求問題解決后，情況可望好轉。
DRAM市場上仍由三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等韓系大廠穩(wěn)握主導權，并維持其市場支配力。三星未來數年間仍可望引領市場，海力士目前看來也呈現強勢。美國美光(Micron)正逐漸提升產能，日本爾必達(Elpida)則透過臺廠力晶擴大產量等，3大廠將會角逐競爭前4強地位。
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NANDFlash在2012年初價格將會跌至每Gb1美元以下，固態(tài)硬碟需求逐漸攀升。伴隨著SSD等新需求擴大，NANDFlash產量若持續(xù)增加，至2014年時可望超越DRAM的市場規(guī)模。然而2012年在擴大出貨量的同時，轉換為10奈米級微細制程，可能會因價格調整使整體市場出現停滯。
此外，手機、平板電腦、SSD等3大品項未來數年間，在半導體應用市場上的比重將達75%，居主導地位，并持續(xù)引領需求攀升。
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