意法半導(dǎo)體(ST)和Memoir Systems整合突破性的存儲(chǔ)器技術(shù)和半導(dǎo)體制造技術(shù)

新技術(shù)將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI，fully-depleted silicon-on-insulator)技術(shù)的專(zhuān)用集成電路(ASIC，application-specific integrated circuits)和系統(tǒng)芯片(SoCs，Systems on Chips) 的內(nèi)部存儲(chǔ)器。

當(dāng)集成到采用FD-SOI技術(shù)的產(chǎn)品時(shí)，Memoir Systems的算法存儲(chǔ)器沒(méi)有損失任何性能，這歸功于 FD-SOI在功耗和性能上的優(yōu)勢(shì) 。此外，F(xiàn)D-SOI的極低軟錯(cuò)誤率 結(jié)合超低泄漏電流對(duì)于包括網(wǎng)絡(luò)、交通、醫(yī)療和航空等關(guān)鍵應(yīng)用意義重大。

意法半導(dǎo)體設(shè)計(jì)支持和服務(wù)執(zhí)行副總裁Philippe Magarshack表示：“就FD-SOI工藝本身而言，F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設(shè)計(jì)工具，與其它制造工藝相比，它可實(shí)現(xiàn)速度更快，散熱更低。而且增加了Memoir Systems的知識(shí)產(chǎn)權(quán)后，我們把FD-SOI產(chǎn)品變得更具吸引力，并展示了其簡(jiǎn)單的移動(dòng)特點(diǎn)。”

Memoir Systems共同創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行官Sundar Iyer表示：“我們專(zhuān)注于突破存儲(chǔ)器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更短的設(shè)計(jì)周期和極高的性能，這使我們的同類(lèi)最優(yōu)的算法存儲(chǔ)技術(shù)能夠嵌入FD-SOI平臺(tái)，這對(duì)于我們和客戶(hù)都具有重要意義。簡(jiǎn)單的移動(dòng)特點(diǎn)結(jié)合有目共睹的優(yōu)異性能證實(shí)，F(xiàn)D-SOI可實(shí)現(xiàn)速度更快、散熱更低、設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單。”

作為領(lǐng)先的ASIC生產(chǎn)廠商，意法半導(dǎo)體率先推出了突破性的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制造工藝，擴(kuò)展和簡(jiǎn)化了現(xiàn)有平面體硅制造工藝。FD-SOI晶體管提高了靜電特性，縮短了溝道長(zhǎng)度，因此工作頻率高于采用傳統(tǒng)CMOS制造的晶體管。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶(hù)提供傳感器、功率器件、汽車(chē)產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費(fèi)電子，從家電、汽車(chē)，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂(lè)，意法半導(dǎo)體的微電子器件無(wú)所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。

意法半導(dǎo)體2012年凈收入84.9 億美元。

本文由收集整理