海力士看好無錫DRAM廠10納米未來 增資25億美元

韓國SK海力士株式會社15日無錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實施五期技術升級項目。

SK海力士半導體(中國)有限公司自2005年4月在無錫新區(qū)建設以來,已成為國內產能最大的半導體生產企業(yè),投資由20億美元增至80.55億美元,12英寸晶圓的生產技術由90納米提升至29納米。此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,并爭取提升至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。