東芝、閃迪齊頭并進：15nm閃存來了！

東芝、閃迪今天同時宣布了世界上最先進的15nm NAND閃存工藝，很快就都會投入量產。

東芝會在4月底搶先開始批量生產15nm工藝的閃存顆粒，地點在位于日本三重縣四日市業(yè)務部的Fab 5。

這是東芝最先進的閃存晶圓廠，目前擁有業(yè)內領先的第二代19nm工藝，但很快就會被新的15nm所取代。

Fab 5工廠的二期工程也正在建設中，將來也會用于生產15nm閃存。

東芝表示，15nm工藝除了縮小芯片尺寸之外，還改進了外圍電路技術，能夠獲得和第二代19nm工藝相同的寫入速度，同時借助新的高速接口，數(shù)據傳輸率提高了30％，達到533Mbps。

東芝首批量產的15nm工藝閃存顆粒是2bpc MLC 128Gb(16GB)，還在研究用于3bpc TLC顆粒，最晚6月份量產，配套的主控芯片也在開發(fā)之中，可用于智能手機、平板機、筆記本。

閃迪的量產時間稍晚一些，而且比較模糊，只說是今年下半年，可同時用于MLC、TLC閃存。

閃迪沒說量產的具體地方，但是考慮到Fab 5其實是東芝、閃迪合資興建的，估計也會在那里進行。

新工藝依然搭配了閃迪的All-Bit-Line(ABL)架構技術，擁有專利的變成算法、多級數(shù)據存儲管理機制。

不過關于壽命問題，兩家都完全沒有提及。我們知道，閃存顆粒工藝越先進，就要付出擦寫周期越少的代價，不知道在15nm工藝上表現(xiàn)如何？又怎樣解決這一矛盾？