揚(yáng)州LED照明產(chǎn)業(yè)上游環(huán)節(jié)發(fā)展迅速
摘要： 近幾年，處于技術(shù)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等因素的原因，相對(duì)于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年，眾多藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目尚處在投資建設(shè)或設(shè)備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放，因此中國(guó)LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主，藍(lán)寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國(guó)襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到352.5萬(wàn)平方英寸，同比增長(zhǎng)34.4%，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元，比2009年增長(zhǎng)50.8%。
關(guān)鍵字： 全球金融危機(jī)， 扶持政策， 藍(lán)寶石
自國(guó)家半導(dǎo)體照明工程實(shí)施以來(lái)，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。2008年，全球金融危機(jī)導(dǎo)致下游市場(chǎng)需求疲軟，在一定程度上減緩了中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。進(jìn)入2009年，隨著國(guó)家不斷出臺(tái)相關(guān)扶持政策，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)增速企穩(wěn)回升。 2010年，在LED全彩顯示、LED背光源、LED照明等下游應(yīng)用高速發(fā)展的拉動(dòng)下，包括襯底、外延、芯片、封裝在內(nèi)的中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模高速增長(zhǎng)到 294.6億元，比2009年大幅增長(zhǎng)33.8%。2006-2010年，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到18.7%。
襯底環(huán)節(jié)仍以低端產(chǎn)品為主，藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)開(kāi)始大規(guī)模布局
近幾年，處于技術(shù)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等因素的原因，相對(duì)于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年，眾多藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目尚處在投資建設(shè)或設(shè)備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放，因此中國(guó)LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主，藍(lán)寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國(guó)襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到352.5萬(wàn)平方英寸，同比增長(zhǎng)34.4%，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元，比2009年增長(zhǎng)50.8%。
從中國(guó)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況看，在國(guó)家半導(dǎo)體照明工程、國(guó)家863等重大專(zhuān)項(xiàng)的支持下，中國(guó)制備紅光、綠光LED用的GaAs/InP/GaP襯底材料技術(shù)已經(jīng)取得重大進(jìn)展。在企業(yè)分布上，中科鎵英，國(guó)瑞電子、上海中科嘉浦、中國(guó)電子科技集團(tuán)第46研究所等企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)上述產(chǎn)品的批量供應(yīng)。這些企業(yè)LED襯底產(chǎn)量已經(jīng)占據(jù)中國(guó)整體LED襯底產(chǎn)量的30%左右，從而保障了中國(guó)該類(lèi)型襯底基本實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。
外延環(huán)節(jié)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，產(chǎn)品層次逐步提升
LED外延作為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，從2009年開(kāi)始，在中國(guó)下游應(yīng)用市場(chǎng)高速發(fā)展的帶動(dòng)下，中國(guó)GaNMOCVD數(shù)量開(kāi)始爆發(fā)性增長(zhǎng)，使得中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2010年，中國(guó)在產(chǎn)與建成調(diào)試的MOCVD數(shù)量接近300臺(tái)，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的MOCVD數(shù)量超過(guò)200臺(tái)。 2010年，中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模為12.5億元，比2009年大幅增長(zhǎng)78.4%。
具體在產(chǎn)品上，AlGaInP外延(主要應(yīng)用于紅光LED產(chǎn)品的制備)，由于該類(lèi)材料生長(zhǎng)機(jī)理以及材料特性穩(wěn)定，使得該類(lèi)產(chǎn)品生長(zhǎng)技術(shù)相對(duì)容易掌握，目前國(guó)內(nèi)該種外延產(chǎn)品發(fā)展也處于領(lǐng)先地位。由于AlGaInP外延下游應(yīng)用領(lǐng)域相對(duì)成熟，對(duì)上游外延片增長(zhǎng)拉動(dòng)較為緩慢，使得 AlGaInP外延片的增速遠(yuǎn)低于GaN外延片的增速。2010年，AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的 60.2%，較2009年減小15.8個(gè)百分點(diǎn)。此外，藍(lán)白光LED在景觀照明、背光源等領(lǐng)域應(yīng)用規(guī)?？焖贁U(kuò)大的推動(dòng)下和國(guó)內(nèi)企業(yè)以及科研院所在材料生長(zhǎng)技術(shù)不斷取得突破的支撐下，2010年，GaN外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的39.8%。未來(lái)三年，這一比例還將快速提升，預(yù)計(jì)2011年中國(guó)GaN外延片的產(chǎn)量將超過(guò)AlGaInP外延片。
在供需方面，用于普通亮度紅光LED的外延片已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。然而，由于外延片質(zhì)量直接影響LED芯片的發(fā)光亮度和發(fā)光特性，目前，用于制備大功率高亮度紅光LED的高質(zhì)量AlGaInP外延片仍主要從臺(tái)灣及韓國(guó)等地進(jìn)口。此外，由于國(guó)內(nèi)GaN外延片供應(yīng)量較小，且產(chǎn)品質(zhì)量與國(guó)際領(lǐng)先水平差距明顯，因而，國(guó)內(nèi)該類(lèi)產(chǎn)品也主要依靠進(jìn)口。
但隨著市場(chǎng)需求的逐步擴(kuò)大，中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，在原有企業(yè)在積極擴(kuò)充產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，也不斷有新企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域。從企業(yè)投資趨勢(shì)來(lái)看，一方面原有企業(yè)在現(xiàn)有生產(chǎn)基地的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，另一方面如廈門(mén)三安則開(kāi)始在除廈門(mén)以外的天津、安徽蕪湖建立LED生產(chǎn)企業(yè)，山東浪潮華光除了原有在濟(jì)南和濰坊的一廠、二廠以外，2009-2010年也開(kāi)始在濟(jì)南高新區(qū)和臨沂建立另外兩個(gè)生產(chǎn)基地。此外，新進(jìn)入企業(yè)也不再僅僅把投資地點(diǎn)選擇在上海、廈門(mén)、揚(yáng)州等地區(qū)，中國(guó)LED外延片投資呈現(xiàn)多處開(kāi)花的局面，并且有從東部和南部沿海城市向北部以及中部城市延伸的趨勢(shì)。
由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密，行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事芯片生產(chǎn)的同時(shí)也進(jìn)行外延片產(chǎn)品的生產(chǎn)，從目前國(guó)內(nèi)新投資的企業(yè)看，基本上都涵蓋了外延和芯片兩個(gè)環(huán)節(jié)。而對(duì)于外資來(lái)華投資的企業(yè)來(lái)說(shuō)，處于對(duì)技術(shù)流失等因素的考慮，初期仍主要以轉(zhuǎn)移芯片生產(chǎn)為主。
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