LTE發(fā)展需要克服芯片、頻率、內(nèi)容三大短板
摘要: 鄔賀銓認(rèn)為,LTE終端需要的是28-32nm的芯片,而目前最先進(jìn)的芯片技術(shù)進(jìn)到45nm。因此,芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程將在一定程度上制約LTE的商用?!澳柖梢呀?jīng)打破,可以預(yù)計(jì)未來(lái)十年內(nèi)將有新的芯片技術(shù)出現(xiàn)。”鄔賀銓表示。
關(guān)鍵字: LTE, 芯片, 頻率, 內(nèi)容, 手持終端, 32nm, 500MHz
在22日舉行的“2011年ICT深度觀察大型報(bào)告會(huì)”上,中國(guó)工程院院士鄔賀銓指出,LTE發(fā)展還需克服三大短板,即芯片、頻率和內(nèi)容。
盡管目前全球LTE發(fā)展迅速,2010年全球LTE商用網(wǎng)絡(luò)已達(dá)16個(gè),但是目前支持LTE的手持終端產(chǎn)品依然有限。鄔賀銓認(rèn)為,LTE終端需要的是28-32nm的芯片,而目前最先進(jìn)的芯片技術(shù)進(jìn)到45nm。因此,芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程將在一定程度上制約LTE的商用?!澳柖梢呀?jīng)打破,可以預(yù)計(jì)未來(lái)十年內(nèi)將有新的芯片技術(shù)出現(xiàn)?!编w賀銓表示。
頻譜資源的緊張是制約LTE商用的另一個(gè)主要因素。目前美國(guó)已經(jīng)將500MHz的頻率資源分配給LTE,充分支持LTE的發(fā)展,而在國(guó)內(nèi),目前頻譜缺口還明顯存在。
最后,鄔賀銓指出,目前LTE除了高速上網(wǎng)外,還沒能提供更多令用戶增值的業(yè)務(wù),需要業(yè)內(nèi)繼續(xù)探索。而對(duì)于目前比較熱門的3D手機(jī)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)業(yè)務(wù),鄔賀銓比較看好增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)。增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR),也被稱之為混合現(xiàn)實(shí)。它通過電腦技術(shù),將虛擬的信息應(yīng)用到真實(shí)世界,真實(shí)的環(huán)境和虛擬的物體實(shí)時(shí)地疊加到了同一個(gè)畫面或空間同時(shí)存在,將是未來(lái)手機(jī)應(yīng)用的一個(gè)主要方向。
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