摘要： 日本、臺灣業(yè)者2011年投資規(guī)?？s減幅度較韓國大許多。此外，不只投資規(guī)?？s小，在絕對金額方面，韓國企業(yè)也超越其它競爭業(yè)者。全球排名第3的日本DRAM業(yè)者爾必達(Elpida)近來表示2011年將投資400億日圓(約4.82億美元)，較2010年投資額1，150億日圓(約13.86億美元)縮減約65%。
關(guān)鍵字： 韓國半導體， 三星， 海力士， DRAM， 存儲器， 爾必達
據(jù)國外媒體報道，韓國半導體業(yè)者2011年投資計劃非常積極。相對的，日本及臺灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉(zhuǎn)為保守。
三星電子(SamsungElectronics)2011年計劃投資10.3兆韓元(約91.57億美元)發(fā)展半導體事業(yè)，與2010年的11兆韓元規(guī)模相當。該公司2011年總投資額當中，對DRAM等存儲器的投資金額為5.8兆韓元(約51.56億美元)，較2010年的9兆韓元減少約35%，然2010年三星有建設(shè)新產(chǎn)線等特別投資項目，因而三星2011年的投資規(guī)模仍不可小覷。2009年三星的存儲器投資金額約4兆韓元。三星相關(guān)人員表示，2011年雖提高了系統(tǒng)芯片投資比重，但存儲器方面也將會持續(xù)進行大規(guī)模的投資。
海力士半導體(Hynix)2010年在存儲器事業(yè)方投資了3.8兆韓元(約33.78億美元)，2011年投資規(guī)模也相當，約3.4兆韓元(約30.23億美元)，且大部分資金將使用在轉(zhuǎn)換微細制程方面。
日本、臺灣業(yè)者2011年投資規(guī)?？s減幅度較韓國大許多。此外，不只投資規(guī)?？s小，在絕對金額方面，韓國企業(yè)也超越其它競爭業(yè)者。全球排名第3的日本DRAM業(yè)者爾必達(Elpida)近來表示2011年將投資400億日圓(約4.82億美元)，較2010年投資額1，150億日圓(約13.86億美元)縮減約65%。
臺灣業(yè)者的情況也很相似。臺灣華亞科技投資額從2010年新臺幣550億元，2011年縮減了69%至170億元。南亞也從新臺幣230億元投資額減半至120億元。
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