航天器和衛(wèi)星整體創(chuàng)新活動水平增長108%
摘要: 航空航天技術領域的創(chuàng)新進入了新軌道:除了與上年相比,整體活動水平上升25%以外,2009 年至2010 年,航天器和衛(wèi)星技術成為增幅最大的航空航天子領域,增長了108%。半導體創(chuàng)新出現(xiàn)了阻滯:在被追蹤的12 個領域之中,半導體技術領域出現(xiàn)了創(chuàng)新活動水平的最大降幅,較2009 年下降了9%。這一領域下降可歸因于集成電路;分立器件;記憶、薄膜及混合電路等子領域的下降。
關鍵字: 航空航天, 航天器, 衛(wèi)星技術, 夏普, LG, 三星, 半導體, 集成電路, 分立器件, 海力士, 東芝, 計算機
近日,湯森路透(Thomson Reuters) 知識產(chǎn)權解決方案事業(yè)部公布的第二份年度全球專利活動分析報告表明,2009 年至2010年,可以采用專利數(shù)量衡量的創(chuàng)新水平,在12 個重要的技術領域內發(fā)生了變化。
2009 年至2010 年創(chuàng)新數(shù)據(jù)中的重要研究發(fā)現(xiàn)包括:航空航天技術領域的創(chuàng)新進入了新軌道:除了與上年相比,整體活動水平上升25%以外,2009 年至2010 年,航天器和衛(wèi)星技術成為增幅最大的航空航天子領域,增長了108%。該領域中的三家企業(yè)是日本制造商夏普(Sharp) 以及緊隨其后的韓國制造商LG 和三星(Samsung)。
航天器和衛(wèi)星整體創(chuàng)新活動水平增長108% src="http://www.globalsca.com/News/UploadFile/2008/201132192930888.jpg" border=0>
半導體創(chuàng)新出現(xiàn)了阻滯:在被追蹤的12 個領域之中,半導體技術領域出現(xiàn)了創(chuàng)新活動水平的最大降幅,較2009 年下降了9%。這一領域下降可歸因于集成電路;分立器件;記憶、薄膜及混合電路等子領域的下降。2010 年唯一顯示出增長的子領域是半導體材料和工藝。在該子領域中,進行專利活動最多的創(chuàng)新企業(yè)是韓國制造商三星和海力士半導體(Hynix Semiconductor) 以及跟隨其后的日本東芝(Toshiba)。
計算機和外圍設備名列創(chuàng)新技術領域的榜首,連續(xù)第二年專利活動最多,盡管整體上較2009 年有所下降:2010 年,計算機和外圍設備技術領域公布了212,622 項發(fā)明,名列分析報告中12 個領域之首。不過這比2009 年還是下降了6%。
《2010Innovation Report: Twelve Key Technology Areas and Their States of Innovation》(2010 年創(chuàng)新報告:12 個重要技術領域及其創(chuàng)新情況)利用全球最權威的湯森路透德溫特世界專利索引Derwent World Patents Index® (簡稱DWPISM)數(shù)據(jù)庫追蹤重要技術領域的專利活動。
其中的數(shù)據(jù)統(tǒng)計了自2010 年1 月1 日至2010 年12 月3 日間的所有獲批專利和已出版的專利申請(已經(jīng)審查和未經(jīng)審查的)。該項研究追蹤航空航天、農(nóng)用化學品和農(nóng)業(yè)、汽車、計算機和外圍設備、化妝品、家用電器、食品、煙草和發(fā)酵、醫(yī)療設備、石油和化學工程、藥品、半導體以及電信等領域的發(fā)明。