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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】恒憶TM(NUMONYX)強勢進軍存儲器市場 恒憶TM(Numonyx B.V)公司4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。恒憶主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器,并利用新型相變移位存儲器(PCM)技術(shù),

【導(dǎo)讀】恒憶TM(NUMONYX)強勢進軍存儲器市場

     恒憶TM(Numonyx B.V)公司4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。恒憶主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器,并利用新型相變移位存儲器(PCM)技術(shù),為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長,在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商,專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù),為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。
     恒憶TM將從非易失性存儲器業(yè)務(wù)起步,因為這一市場增長迅速,充滿活力,發(fā)展勢頭強勁。新公司是最大的NOR閃存芯片供應(yīng)商,并擁有多項NAND技術(shù)和DRAM產(chǎn)品,NAND技術(shù)可為公司帶來增長空間,而DRAM產(chǎn)品則有助于加強公司獨特產(chǎn)品的深度和價值。整合后,恒憶成為全球第三大非易失性存儲器供應(yīng)商,年收入大約30億美元。
     “新公司一成立就具有如此大的優(yōu)勢,實屬罕見?!焙銘?SUP>TM首席執(zhí)行官Brian Harrison表示,“兩家母公司在產(chǎn)品、技術(shù)和專長上的優(yōu)勢互補讓我們在存儲器市場具有很強的競爭力。公司成立伊始,就擁有技術(shù)先進的完整的產(chǎn)品線、專用的制造設(shè)施、市場領(lǐng)先的相變存儲器開發(fā)制造能力,更值得稱道的是,經(jīng)驗豐富的管理團隊和出色的存儲器技術(shù)團隊。因此,恒憶TM在成立之初,即成為一家令業(yè)界震撼的存儲器解決方案提供商。”
     在滿足客戶需求方面,多種先進技術(shù)和產(chǎn)品組合給恒憶TM帶來獨特的優(yōu)勢和極大的靈活性,使我們能夠幫助客戶在構(gòu)建系統(tǒng)時在容量、性能、功耗和成本間尋求最佳解決方案。據(jù)工業(yè)分析公司iSuppli的調(diào)查報告,2007年非易失性存儲器市場的年度收入225億美元,2011年前預(yù)計超過377億美元。

市場領(lǐng)先的存儲解決方案提供商,強大的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品制造能力
     恒憶TM的優(yōu)勢在于其先進技術(shù)的研發(fā)能力和先進的制造能力,這是提供先進的非易失性存儲器產(chǎn)品不可或缺的要素。公司目前量產(chǎn)的NOR存儲器芯片采用的是65nm制造技術(shù),計劃在今年年底前快速轉(zhuǎn)移到45nm技術(shù),從而實現(xiàn)以更低的成本制造更先進的產(chǎn)品。此外, 恒憶擁有業(yè)內(nèi)最先進的封裝和堆疊封裝技術(shù),能夠為客戶提供更加靈活的更節(jié)省空間的芯片組合。 
     為滿足市場對恒憶TM存儲器芯片的需求,新公司擁有前工序晶圓制造廠和后工序封裝測試廠,同時還有外包供應(yīng)商。這些制造設(shè)施包括六個200mm和三個300mm晶圓制造廠,其中包括恒憶自己在以色列、意大利和新加坡的設(shè)施,這樣,恒憶能夠根據(jù)客戶需求靈活地制造任意組合的NOR、NAND和RAM芯片。

輝煌歷史,前途無限
     融合英特爾意法半導(dǎo)體40余年的從業(yè)經(jīng)驗,恒憶TM將在全球范圍內(nèi)從英特爾和意法半導(dǎo)體繼承大量的專利技術(shù)。這些專利權(quán)和專利申請涵蓋各種技術(shù),包括閃存和相變存儲器、圖形處理、手機、存儲介質(zhì)、處理器、半導(dǎo)體制造和封裝,以及各種消費電子產(chǎn)品。恒憶TM亦取得了歷史性的技術(shù)突破,創(chuàng)制出七代多層單元(MLC)技術(shù)?!岸嘣闹R產(chǎn)權(quán)、專利權(quán)和技術(shù)專長將是恒憶TM生存和發(fā)展的基石,”Harrison說,“我們計劃把這段輝煌的歷史發(fā)揚光大,開發(fā)更具創(chuàng)新力的產(chǎn)品技術(shù)?!?BR>     基于上述使命,英特爾和意法半導(dǎo)體本月初宣布業(yè)內(nèi)首款功能性PCM工程流片(代號為 “Alverstone”)已交付客戶測試。兩家母公司還宣讀了以如何研制世界首個可驗證的采用PCM技術(shù)的高密度、MLC大容量存儲器為主題的論文。相變存儲器是一個極具發(fā)展前景的新型存儲技術(shù),數(shù)據(jù)讀寫速度非???,功耗低于傳統(tǒng)的閃存技術(shù),而且支持通常只有隨機存取存儲器(RAM)才具備的以數(shù)據(jù)位為單位的修改功能。
     恒憶TM的管理層是由英特爾和意法半導(dǎo)體的業(yè)界元老以及來自其它行業(yè)的高級行政管理者組成。原英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品部總經(jīng)理Brian L. Harrison被任命為新公司的首席執(zhí)行官,原意法半導(dǎo)體公司副總裁兼閃存產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Licciardello被任命為首席運營官。

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