“與三星角力不退半步！” 東芝談NAND市場

【導讀】“與三星角力不退半步！” 東芝談NAND市場     
    控制NAND閃存、NOR閃存、DRAM內存等未來內存市場的條件是什么？在東京國際數(shù)字會議上，各內存廠商以“內存無線時代的挑戰(zhàn)”為題，對市場的未來發(fā)展做了展望。  

    其中，值得關注的是東芝對NAND閃存市場所做的分析。上臺發(fā)言的是東芝半導體公司副社長齊藤升三?！癗AND閃存的年供貨總位數(shù)已經超過DRAM內存”。齊藤預測說，2008年NAND閃存將發(fā)展成一個規(guī)模達3萬億日元的大市場。認為，市場規(guī)模與DRAM相同、與DRAM相比位單價更便宜的NAND閃存在供貨金額方面很快也將趕上來。  

    關于今后的NAND閃存市場，齊藤表示，隨著價格的走低，市場也將隨之迅速擴大（圖1）。過去幾年NAND閃存的價格每年以40%的幅度下降，2005年隨著iPod nano的亮相，每年的價格降幅已達50%。照此形勢發(fā)展下去，首先是數(shù)碼攝像機，接下來就將是電腦市場?！霸跀?shù)碼攝像機中錄1個小時的HDTV錄像所需的存儲容量為3G～4GB。NAND閃存應用于數(shù)碼攝像機只是時間問題。在電腦領域，閃存有可能作為SSD（固態(tài)磁盤）來使用”（齊藤說）。  

    隨后齊藤還對大容量化技術中的多值技術進行了預測。齊藤表示，每單元4位的16值NAND閃存有望在2008年開發(fā)成功（圖2）。不過，隨之而來的課題則是NAND閃存的讀寫速度會下降。解決這種性能下降問題的關鍵在于控制IC?！癗AND閃存性能的下降取決于控制IC，用戶看不出來。惟有控制IC才能成為實現(xiàn)新一代NAND閃存的關鍵元件。正因為如此，東芝正在致力于控制IC的開發(fā)”。齊藤說。此外，在微細化方面現(xiàn)已瞄準30nm，2009年下半年有望實現(xiàn)。不過，30nm以后需要全新EUV曝光設備的微細化計劃尚未確定。  

    對于市場競爭激烈的NAND閃存，“最重要的是產量”。齊藤表示，將緊追排名第1位的韓國三星電子?！?strong>NAND閃存市場將是我們和三星電子平分秋色”。因此，重要的是繼續(xù)進行技術開發(fā)和市場開拓。