高通助陣，臺積電45奈米明年上路

【導(dǎo)讀】高通助陣，臺積電45奈米明年上路        手機芯片大廠高通（Qualcomm）表示，已經(jīng)開始著手45奈米先進制程研發(fā)，雖然仍有許多材料上或制程上的問題有待解決，不過整個進展速度仍十分順利，預(yù)計明年下旬就可開始與臺積電等晶圓代工伙伴進入試產(chǎn)階段，十分符合臺積電宣稱明年下半年走入45奈米世代的預(yù)估。相較于臺積電對45奈米世代的積極攻城略地，聯(lián)電外傳亦與德儀合作，明年底前就會跨足45奈米市場。       雖然奈米制程的資本支出需求愈來愈大，不過隨著193奈米波長的浸潤式顯影制程（immersion lithography）設(shè)備已可支持至32奈米世代，在關(guān)鍵設(shè)備不需大幅替換情況下，晶圓代工廠在65奈米制程開始進入接單量產(chǎn)階段后，也延續(xù)摩爾定律（Moore's Law）原則，開始著手布局下一代45奈米制程。       以臺積電為例，目前45奈米制程的浸潤式顯影技術(shù)已有所突破，根據(jù)公司方面日前法說會中提供的資料來看，臺積電試產(chǎn)的SRAM最佳缺陷密度為零，代表45奈米已是可行之路。而臺積電90奈米及65奈米大客戶高通，表示已與臺積電等晶圓代工廠合作，開始進行45奈米的研發(fā)，明年下旬就可試產(chǎn)，顯示臺積電應(yīng)可在客戶的力挺下，明年順利走入45奈米世代。       至于今年亦投入新臺幣上百億元資金擴充高階奈米制程浸潤式顯影設(shè)備的聯(lián)電，雖然還沒公布45奈米技術(shù)藍圖及生產(chǎn)時間表，但是外傳聯(lián)電已開始與大客戶之一的德儀合作，為明年底或后年初，以45奈米制程進行試產(chǎn)進行布局。       全球第三大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體（Chartered），因與IBM、三星、英飛凌等共同合作研發(fā)45奈米技術(shù)有成，已經(jīng)快速拉近與臺積電、聯(lián)電間的技術(shù)落差時間，由于在IBM及大客戶之一的超微力挺下，65奈米已有不錯成績，明年底開始投入45奈米試產(chǎn)應(yīng)該不會是太難的事。      市場分析師認為，目前90奈米激烈的殺價競爭態(tài)勢，除了延續(xù)到年底的65奈米市場上外，08年上旬45奈米市場競爭亦會十分激烈，尤其晶圓代工廠間45奈米試產(chǎn)時程相近，包括三星、東芝等IDM廠的45奈米研發(fā)亦有一定成果，并以此投入晶圓代工市場爭取訂單，殺價競爭可能會比現(xiàn)在更「血腥」。