三星電子發(fā)表新一代3納米制程 向“全球第一代工企業(yè)”進(jìn)軍

據(jù)韓媒《ZDNet Korea》報(bào)導(dǎo)，3納米閘極全環(huán)制程是讓電流經(jīng)過(guò)的圓柱形通道環(huán)繞在閘口，和鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的構(gòu)造相比，該技術(shù)能更加精密地控制電流。

若將3納米制程和最新量產(chǎn)的7納米FinFET相比，芯片面積能減少45％左右，同時(shí)減少耗電量50％，并將性能提高35％。

當(dāng)天活動(dòng)中，三星電子將3納米工程設(shè)計(jì)套件發(fā)送給半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，并共享人工智能（AI）、5G移動(dòng)通信、無(wú)人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等第四次產(chǎn)業(yè)革命的核心半導(dǎo)體技術(shù)。工程設(shè)計(jì)套件在代工公司的制造制程中，支持優(yōu)化設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)文件。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司能通過(guò)此文件，更輕易地設(shè)計(jì)產(chǎn)品，縮短上市所需時(shí)間、提高競(jìng)爭(zhēng)力。

同時(shí)，三星電子計(jì)劃在3納米制程中，通過(guò)獨(dú)家的多橋接通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFETTM）技術(shù)，爭(zhēng)取半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的青睞。多橋接通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)是進(jìn)一步發(fā)展的「細(xì)長(zhǎng)的鋼絲型態(tài)」的閘極全環(huán)構(gòu)造，以輕薄、細(xì)長(zhǎng)的納米薄片進(jìn)行堆棧。該技術(shù)能夠提升性能、降低耗電量，而且和FinFET工藝兼容性強(qiáng)，有直接利用現(xiàn)有設(shè)備、技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

另一方面，三星電子計(jì)劃在下個(gè)月5日于上海進(jìn)行代工論壇，并于7月3日、9月4日、10月10日分別在韓國(guó)首爾、日本東京、德國(guó)慕尼黑舉行代工論壇。