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[導(dǎo)讀][據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體研究聯(lián)盟網(wǎng)站2014年5月7日?qǐng)?bào)道]美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校受半導(dǎo)體研究聯(lián)盟資助,將發(fā)展三維器件集成新方法,有望促進(jìn)移動(dòng)器件和可穿戴電子技術(shù)以更小的體積實(shí)現(xiàn)更多的功能。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟是世界領(lǐng)先的半

[據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體研究聯(lián)盟網(wǎng)站2014年5月7日?qǐng)?bào)道]美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校受半導(dǎo)體研究聯(lián)盟資助,將發(fā)展三維器件集成新方法,有望促進(jìn)移動(dòng)器件和可穿戴電子技術(shù)以更小的體積實(shí)現(xiàn)更多的功能。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體及相關(guān)技術(shù)大學(xué)研究聯(lián)盟。

研究集中在利用半導(dǎo)體墨水打印方法在一片垂直集成的三維芯片上集成額外的多層晶體管,與之相比,目前的芯片堆疊方法則通過(guò)三維互聯(lián)方法。

新的工藝技術(shù)能夠幫助半導(dǎo)體制造商發(fā)展更小、更多樣化的元件,而這樣做能夠通過(guò)添加處理、存儲(chǔ)、傳感和顯示等額外功能降低費(fèi)用,增強(qiáng)性能,提高效費(fèi)比。這種低溫工藝和聚合物襯底兼容,在可穿戴電子技術(shù)和封裝方面具有潛力。

目前三維集成方面的研究采用遷移薄層單晶半導(dǎo)體層、化學(xué)氣相淀積多晶硅或者其他生長(zhǎng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)器件集成。

加大伯克利分校電子工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院教授VivekSubramanian表示:“同這些方法相比,我們相信我們的方法更簡(jiǎn)單,并具有相當(dāng)?shù)偷某杀?。我們的目?biāo)是性能最大化,并相對(duì)于其他方法能獲得更好的效費(fèi)比?!?BR>
具體而言,加大伯克利分校正在開(kāi)發(fā)的直接打印式透明氧化物晶體管方法有望在CMOS金屬涂層上實(shí)現(xiàn)額外的有源器件。

為了制造這些器件,需要淀積半導(dǎo)體、電介質(zhì)和導(dǎo)體的新型材料和工藝方法。由于該方法同CMOS金屬涂層低溫兼容,同時(shí)具有更低的制造成本,該研究的重點(diǎn)主要集中在基于方法的工藝上。

美國(guó)半導(dǎo)體研究聯(lián)盟納米制造科學(xué)部主任BobHavemann表示:“伯克利研究團(tuán)隊(duì)的最初成果顯示,能夠從處理溫度同CMOS之后的金屬涂覆兼容的噴墨打印器件獲得相當(dāng)高的性能,而這成為了單片三維集成的新方法?!?/FONT>
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