多用途晶體硅硅片的制造

美國(guó)納米工程研究中心（CRNE）的一個(gè)研究組與巴塞羅那大學(xué)電子工程系的研究人員共同開(kāi)發(fā)出一種更便捷更便宜的晶體硅制備方法。他們的研究成果刊登在最近一期的應(yīng)用物理學(xué)報(bào)上。這種很薄的硅片厚度在10微米左右，造價(jià)昂貴但是微電子學(xué)所期望的，尤其是隨著微芯片三維集成電路發(fā)展這是必然的選擇。硅片技術(shù)的發(fā)展為光伏技術(shù)的發(fā)展提供了更為廣闊的前景，尤其是柔性電池的發(fā)展方面收益頗大。

近些年來(lái)，技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了硅片向著更加薄的方向發(fā)展。線切割所能帶來(lái)的最薄的硅片厚度在150微米左右。利用線切割技術(shù)獲得更薄的硅片比較困難，但是在切割過(guò)程中損耗的硅材料占到一半左右。該研究小組的方法與一般線切割的區(qū)別在于：只要一步就能實(shí)現(xiàn)，并且可以生產(chǎn)出效率更好的、速度更快的、而且價(jià)格更加便宜的硅片。

該方法基于在材料的表面制造出很多微小的細(xì)孔，加工過(guò)程輔佐高溫來(lái)實(shí)現(xiàn)。硅片的分割過(guò)程可以精確地控制微小細(xì)孔的形狀。精確控制的細(xì)孔直徑不僅能夠控制硅片的數(shù)量，同時(shí)可以精確控制厚度、以及偏差。這種夾心狀的硅片可以通過(guò)葉片狀剝落。預(yù)期的硅片數(shù)量和厚度可以很精確地得到控制。CRNE的科學(xué)家可以很容易地將一塊300毫米厚的硅片分割成10片更薄的硅片，每片在5到7毫米之間。

減少工業(yè)生產(chǎn)的成本

對(duì)于超薄硅片的需求越來(lái)越多，無(wú)論是MEMES行業(yè)還是太陽(yáng)能行業(yè)都有著很大的需求量。傳統(tǒng)硅片的切割已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)相對(duì)瓶頸階段。硅片的厚度從90年代的300毫米到現(xiàn)在的180毫米左右，并且效率在不斷提升而且降低了成本，但是希望獲得更薄的硅片以進(jìn)一步降低成本的要求越來(lái)越困難。這種方式的出現(xiàn)很好地解決了這一需求，盡管到了幾十微米的厚度，但是能夠吸收陽(yáng)光并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的能力任然保持著。