21ic訊 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)發(fā)布一系列新的先進產(chǎn)品。新產(chǎn)品讓電源設計人員能夠提高太陽能逆變器和電動汽車、企業(yè)計算和工業(yè)電機驅動器等諸多應用的能效。
意法半導體率先研制出工作溫度達到200°C的高壓碳化硅(SiC)功率MOSFET。碳化硅固有屬性使其比傳統(tǒng)硅功率晶體管節(jié)能至少50%，而且器件本身的尺寸還可以變得更小，擊穿電壓變得更高。這項技術被視為系統(tǒng)能效、微型化和成本優(yōu)化連續(xù)改進的一項重要開發(fā)。
計算機房和數(shù)據(jù)中心居高不下的用電成本讓能效成為許多IT管理高層首要關注的問題。用碳化硅器件代替普通硅開關，有助于提高大功率電源的能源利用率(PUE，Power Usage Effectiveness)，PUE是衡量數(shù)據(jù)中心能效的指標。根據(jù)電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動組織(CSCI， Climate Savers Computing Initiative)預測，到2015年，高能效網(wǎng)絡系統(tǒng)設備可節(jié)省能源開支50億美元，減少二氧化碳排放量3800萬噸。
碳化硅MOSFET晶體管還能用于太陽能逆變電源，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高壓硅IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，將太陽電池的直流電轉變成交流電并入電網(wǎng)，無需任何特殊的驅動電路。此外，因為工作頻率高于IGBT，碳化硅MOSFET可縮減電源設備的其它元器件的尺寸，從而降低電源成本，提高能效。
在電動汽車領域，碳化硅器件有望大幅提高能效，降低汽車動力系統(tǒng)的尺寸。作為美國能源部與汽車工業(yè)的合作組織，美國汽車動力系統(tǒng)電氣電子技術研發(fā)小組呼吁，到2020年，將汽車動力系統(tǒng)能耗降低大約二分之一，同時降低尺寸至少20%。該小組的開發(fā)路線圖計劃將寬帶隙半導體材料即碳化硅技術列為提高功率轉換效率的重點技術，并使該項技術能夠在更高的工作溫度下更安全可靠地工作。與普通硅器件和競爭對手的碳化硅MOSFET相比，意法半導體的碳化硅器件耐溫性能更高(200°C)，從而有助于簡化汽車冷卻系統(tǒng)的設計。
意法半導體的新產(chǎn)品1200V碳化硅功率MOSFETSCT30N120的樣片已經(jīng)上市，計劃于2014年6月投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品采用意法半導體獨有的HiP247封裝，該封裝外形尺寸與工業(yè)標準封裝相同，尤其針對耐高溫性能進行了優(yōu)化設計。
SCT30N120的主要產(chǎn)品特性:
· 通態(tài)電阻(RDS(ON)):
o 在25°C時，典型值為80mΩ
o 最高溫度至200°C的整個工作溫度范圍內，典型值≤100mΩ
· 低關斷能量和柵電荷(確保高能效和高速開關操作)
· 泄漏電流典型值低于10μA(比相同材料的其它器件提升系統(tǒng)能效和可靠性)
· 快速且穩(wěn)健的基板原生二極管(節(jié)省外部續(xù)流二極管，降低成本和尺寸)
· 簡化柵驅動電路(降低網(wǎng)絡驅動成本)
· 最高工作溫度高達200°C(縮減印刷電路板尺寸，簡化熱管理系統(tǒng)設計)
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