Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

超級結(jié)器件降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高通信、工業(yè)和企業(yè)級應(yīng)用能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)。

Vishay提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新電子系統(tǒng)。隨著SiHH068N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，我們可在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期滿足提高能效和功率密度的要求—包括功率因數(shù)校正和硬切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.059 Ω，超低柵極電荷下降到53 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效輸出電容Co(er)和Co(tr) 分別僅為94 pf和591 pF，可改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而達(dá)到節(jié)能效果。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK® 8x8封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHH068N60E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。