Ramtron可替代SRAM的1兆位鐵電存儲器

    Ramtron 國際公司宣布推出1兆位的鐵電存儲器產(chǎn)品 ---- FM20L08。此型號的操作電壓為3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封裝。

    FM20L08 是 Ramtron 目前生產(chǎn)的容量最大的鐵電存儲器，可以對其進(jìn)行無限次的讀寫操作。該型號是專門設(shè)計用來替換標(biāo)準(zhǔn)異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器的 (Standard asynchronous SRAM)。同時，這個型號還特別適用電壓多樣或者電壓會突然丟失的存儲數(shù)據(jù)系統(tǒng)，如機(jī)頂盒、汽車遠(yuǎn)程信息處理以及工業(yè)應(yīng)用等系統(tǒng)。

    作為對 Ramtron 現(xiàn)有并口鐵電存儲器型號重要補(bǔ)充，F(xiàn)M20L08 在地址轉(zhuǎn)換檢測 (ATD) 方面可以與 SRAM 完全兼容，它允許用戶在芯片使能有效的情況下改變地址。FM20L08 的內(nèi)存訪問方式與 SRAM 類似，極大的簡化了設(shè)計工程師使用非易失性 RAM 時所需要做的工作。

    Ramtron 設(shè)計 FM20L08 的目標(biāo)就是“易于使用”。除了能夠完全兼容標(biāo)準(zhǔn)SRAM，F(xiàn)M20L08 還包含一個內(nèi)部的電壓監(jiān)控器用來阻止低電壓進(jìn)入，保護(hù)已存儲的數(shù)據(jù)。這個監(jiān)控器會連續(xù)不斷的檢查工作電源電壓，當(dāng)工作電壓低于一個臨界值時，它就會發(fā)出一個低電壓信號表明現(xiàn)在存儲器已處于一個寫保護(hù)的狀態(tài)。當(dāng) /LVL 信號很弱的時候，存儲器就被保護(hù)起來，防止無意中的訪問和數(shù)據(jù)存儲損壞。FM20L08 還有軟件控制的寫保護(hù)功能。整個內(nèi)存被分成八個區(qū)域，每個區(qū)域都可能通過軟件單獨(dú)設(shè)置寫保護(hù)，而不需要硬件或改變管腳排列。為了給現(xiàn)在的高性能微處理器提供一個方便的接口，F(xiàn)M20L08 包含一個高速的頁面模式，這種模式可以允許在比傳統(tǒng)隨機(jī)存取器更高的總線速度的情況下，進(jìn)行四字節(jié)脈沖的讀寫操作。

    所有的數(shù)據(jù)一旦被寫入鐵電存儲器，就立即變成非易失性，并且不像老技術(shù)生產(chǎn)的非易失存儲器一樣出現(xiàn)延時現(xiàn)象。所有的鐵電存儲器都是非易失性的，在失去電源的情況下，數(shù)據(jù)仍然被保存在芯片中。與其它非易失性存儲器技術(shù)相比，鐵電存儲器能提供非易失性的數(shù)據(jù)保存，免除了人們對存儲器可靠性的擔(dān)憂、對功能性的缺點(diǎn)和系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜性的擔(dān)憂，而這些擔(dān)憂都是需要后備電池的 SRAM (BBSRAM) 所存在的不足。此外，鐵電還具有非?？斓膶懭胨俣纫约盁o限次的擦寫壽命，而這些特點(diǎn)都優(yōu)于其它類型的非易失性存儲器 (例如：EEPROM 或者 Flash 等)。

    鐵電存儲器比 BBSRAM 更先進(jìn)，單片集成電路的特質(zhì)所帶來的高可靠性，使得鐵電存儲器不需要在電路板上或者外部安裝電池來備份數(shù)據(jù)。FM20L08 是一種真正的表面組裝解決方案，不需要為配備附加電池而重復(fù)工作步驟，對負(fù)電壓和負(fù)脈沖信號有著非常高的抵御能力，而對于這些方面，SRAM是無能為力的。

    FM20L08 的容量為 28K x 8。其讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn) SRAM 相同。訪問進(jìn)入時間為 60 ns。高速的頁模式操作總線速度最高可達(dá)到 33MHz，4 字節(jié)脈沖。寫操作無延時，也沒有最大寫操作緩沖大小限制。操作電壓從 3.3V 開始，和標(biāo)準(zhǔn)SRAM 相比，需要消耗的操作電流更少，因而操作耗能更少。FM20L08目前有兩種型號，分別可滿足工業(yè)溫度 (-40℃ 到 +85℃) 和商業(yè)溫度 (0℃ 到 +70℃) 的需求。商業(yè)溫度型 cycle time 為 150 ns；工業(yè)溫度型號的 cycle time為 350 ns。

    FM20L08 樣片 (32-pin TSOP) 現(xiàn)在可供立即申請，10,000 片以上單片價格為 13.65 美元 。此型號為綠色無鉛封裝。