低功耗256Mbit FCRAM（富士通微電子）

富士通微電子（上海）有限公司推出一款用于消費類數(shù)字電子產(chǎn)品的低功耗256Mbit消費類電子產(chǎn)品FCRAM，型號為MB81EDS256545。這款新型FCRAM產(chǎn)品為低功耗，系統(tǒng)封裝(SiP)設(shè)計的理想產(chǎn)品，自今日起提供樣片。該款產(chǎn)品的特性是擁有64bit位寬的I/O口及使用低功耗DDR SDRAM接口，其數(shù)據(jù)吞吐速度相當(dāng)于兩個擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM，同時能減少最大約1瓦特(1W) (約70%)的功耗，從而降低了消費類數(shù)字電子產(chǎn)品的功耗。該款產(chǎn)品是適用于低功耗消費類電子產(chǎn)品(如數(shù)字電視和可攜式攝像錄像機)的理想產(chǎn)品。

富士通微電子新型FCRAM特點是，其數(shù)據(jù)吞吐速度相當(dāng)于兩個擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM器件，而耗電卻降低70%，約1W。FCRAM的強大省電能力降低了消費類電子產(chǎn)品的功耗，同時更好的散熱能力不僅能簡化產(chǎn)品開發(fā)而且能降低元件成本。 

富士通微電子預(yù)測該存儲器可取代傳統(tǒng)的RAM，用于要求低功耗的消費類數(shù)字電子產(chǎn)品，如數(shù)字電視及可攜式攝像錄像機等，是實現(xiàn)產(chǎn)品價值和成本降低的理想解決方案。

樣片價格和提供 

產(chǎn)品名稱	樣片價格	樣片提供
MB81EDS256545	1,000 日元	自2008年6月26日起

銷售目標(biāo)
每月一百萬片

產(chǎn)品特點
1.    數(shù)據(jù)傳輸時與DDR2 SDRAM相比，功耗最大減少了約為1W
DDR2 SDRAM和其它高速存儲器接口要求終端電阻在運行時保持信號穩(wěn)定，這樣導(dǎo)致消耗更多的電流。這款新產(chǎn)品使用64bit位寬的I/O口在較低的工作頻率下運行，不再需要終端電阻。其數(shù)據(jù)吞吐速度與兩個擁有16bit位寬的I/O口的DDR2 SDRAM相當(dāng)，同時實現(xiàn)功耗減少70%，約1W。

2.    兩倍于DDR2 SDRAM的高速大規(guī)模圖像數(shù)據(jù)處理能力
該產(chǎn)品擁有64bit位寬的I/O口和高達216 MHz的工作頻率，每秒的最大數(shù)據(jù)吞吐量為3.46G字節(jié)(3.46 GBps)，是典型DDR2 SDRAM的兩倍，適用于處理圖像/視頻數(shù)據(jù)和其它需要高帶寬的數(shù)據(jù)，如數(shù)字電視等。

3.    專為SiP設(shè)計的存儲器節(jié)省了貼裝空間
產(chǎn)品設(shè)計把邏輯芯片集成到SiP，從而縮減了電路板上的貼裝空間，進而降低元件和板材成本。除為SiP集成提供晶圓外形外，富士通微電子(FML)的新型FCRAM還可用于晶圓級封裝(WLP)。