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[導(dǎo)讀]21ic訊 LSI 公司發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù), 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進(jìn)行了演示。LSI®SandForce®閃存控制器的新技術(shù)包括LSI SHIELD™技術(shù)。這是一種高級

21ic訊 LSI 公司發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù), 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進(jìn)行了演示。

LSI®SandForce®閃存控制器的新技術(shù)包括LSI SHIELD™技術(shù)。這是一種高級的糾錯(cuò)方法,即便同時(shí)使用出錯(cuò)率較高的廉價(jià)閃存存儲器也能實(shí)現(xiàn)企業(yè)級的SSD耐久度和數(shù)據(jù)完整性。SHIELD是低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)代碼與數(shù)字信號處理(DSP)的一種獨(dú)特實(shí)現(xiàn),其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術(shù)完美融合硬判決、軟判決和DSP,可提供面向閃存存儲器的最優(yōu)化綜合糾錯(cuò)碼(ECC)解決方案。

LSI SHIELD技術(shù)與現(xiàn)有的LDPC實(shí)現(xiàn)方式相比具有多種優(yōu)勢,并集合了如下特性:

自適應(yīng)編碼速率:在SSD生命周期內(nèi)動態(tài)地平衡性能與可靠性;

智能處理瞬態(tài)噪聲:降低總體LDPC延遲,改善ECC效率;

多級ECC模式:適時(shí)地應(yīng)用更高級別的ECC,實(shí)現(xiàn)延遲最小化,同時(shí)保持最佳閃存性能。

LSI副總裁兼閃存組件部總經(jīng)理Huibert Verhoeven表示:“雖然NAND閃存存儲器的價(jià)值得以提升,且不斷推動閃存存儲解決方案的普及率,但必須考慮的是,現(xiàn)今產(chǎn)品制造尺寸的縮小會帶來可靠性降低和使用壽命縮短等問題。LSI SHIELD技術(shù)能憑借專門針對SSD進(jìn)行優(yōu)化的高級糾錯(cuò)功能解決這些難題,并將最新NAND閃存存儲器轉(zhuǎn)化為更加穩(wěn)健的存儲解決方案。”

最新技術(shù)亮點(diǎn):

SHIELD技術(shù):演示過程中將根據(jù)閃存的各種原始比特差錯(cuò)率(RBER)對三種技術(shù)進(jìn)行比較,用以展示SHIELD技術(shù)與現(xiàn)有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代碼相比在糾錯(cuò)方面所具備的優(yōu)勢。

DuraWrite™Virtual Capacity(DVC):是一種獨(dú)特的SandForce閃存控制器功能,可在底層閃存存儲器物理容量的基礎(chǔ)上擴(kuò)大典型數(shù)據(jù)的可用存儲容量。通過增加相同物理閃存存儲器容量,DVC可幫助降低每GB的用戶存儲成本。LSI利用典型數(shù)據(jù)庫應(yīng)用進(jìn)行的內(nèi)部測試表明,DVC可將用戶數(shù)據(jù)的存儲容量提升三倍多。演示DVC功能的過程中展示了該技術(shù)的多種應(yīng)用。

東芝先進(jìn)19nm閃存:LSI SandForce SF-2000閃存控制器現(xiàn)已支持東芝第二代先進(jìn)19nm NAND閃存存儲器(A19nm),使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產(chǎn)品。本演示將展示設(shè)置為二級驅(qū)動器的東芝A19nm閃存技術(shù)SSD,介紹典型文件傳輸操作。

客戶引言

Kingston公司的SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Ariel Perez表示:“Kingston已可為現(xiàn)有的工作負(fù)載信息量較輕的關(guān)鍵客戶提供最新的LSI SandForce DuraWrite Virtual Capacity技術(shù),為此我感到格外興奮。通過與這些客戶的存儲工程師進(jìn)行密切合作,我們確定了能顯著降低客戶每GB可用容量成本的具體實(shí)施方案。DVC將使更多的企業(yè)客戶放棄傳統(tǒng)的硬盤,轉(zhuǎn)而采用基于閃存存儲器的SSD產(chǎn)品,以便充分利用這種技術(shù)的多方面性能優(yōu)勢。”

東芝美國電子元件公司(TAEC)存儲器業(yè)務(wù)部高級副總裁Scott Nelson 表示:“我們與LSI公司密切合作,將東芝第二代先進(jìn)19nm(A19nm)NAND產(chǎn)品成功用于固態(tài)驅(qū)動器,并進(jìn)行首次公開演示。LSI SandForce閃存控制器的設(shè)計(jì)靈活性便于將我們的A19nm NAND 閃存技術(shù)實(shí)現(xiàn)有效集成,這無疑使該技術(shù)在固態(tài)存儲市場占據(jù)了重要地位。”

IT Brand Pulse是一家獨(dú)立的市場研究與驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室,LSI憑借SSD控制器芯片產(chǎn)品獲得了該機(jī)構(gòu)評選的“創(chuàng)新領(lǐng)袖”獎(jiǎng)。在由IT Brand Pulse開展的近期調(diào)查中,LSI SandForce閃存控制器被IT專業(yè)人士評選為2013年最具市場、價(jià)格、性能、可靠性、服務(wù)與支持以及創(chuàng)新優(yōu)勢的SSD控制器芯片產(chǎn)品。

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