MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)（RFMD）

日前，RF Micro Devices, Inc. 公司（RFMD）推出正在申請(qǐng)專利的 MicroShield™ 整合 RF 屏蔽技術(shù)。通過(guò)將 RF 屏蔽技術(shù)直接整合到 RFIC 或模塊中，RFMD 的 MicroShield 整合 RF 屏蔽技術(shù)可消除對(duì)體積較大、成本較高的外部防護(hù)層的需求。這樣 RFMD 的 MicroShield 可將 RF 部分的高度和體積要求分別降低 25% 和 50%，并可為客戶提供不受板布置影響的元件。

RF 屏蔽技術(shù)降低了與電磁干擾 (EMI) 及射頻干擾 (RFI) 相關(guān)的輻射，并可將對(duì)外部磁場(chǎng)的敏感度降至最低。傳統(tǒng) RF 屏蔽技術(shù)是使用封裝及保護(hù)電路板 RF 部分的外部金屬“罐”加以實(shí)施的。但這種實(shí)施成本高且非常耗時(shí)，因?yàn)橛糜?nbsp;RF 屏蔽的這些“罐”必須根據(jù)單個(gè)電路板加以定制。此外，外部 RF 防護(hù)層還增加了 RF 區(qū)域的空間要求，更重要的是，它們會(huì)降低基礎(chǔ) RF 電路的性能。這種性能降低會(huì)產(chǎn)生應(yīng)對(duì)外部防護(hù)層的這些影響所需的非常耗時(shí)的重新調(diào)諧過(guò)程。

通過(guò)將與外部磁場(chǎng)的接觸降至最少，以及防止能量泄漏到主機(jī)設(shè)備的不必要區(qū)域，RFMD 的 MicroShield 整合 RF 屏蔽可降低 EMI 及 RFI 的影響。而且，通過(guò)消除對(duì)板布置的敏感性，RFMD 的 MicroShield 消除了電路重新調(diào)諧風(fēng)險(xiǎn)，從而可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間以及降低 RF 實(shí)施成本。

在手機(jī)應(yīng)用中，對(duì)板布置的敏感性是一個(gè)關(guān)鍵因素，因?yàn)槭謾C(jī)設(shè)計(jì)者及制造商日益依賴手機(jī)平臺(tái)來(lái)滿足他們的時(shí)間及成本要求。由于 EMI 與 RFI 輻射通常是導(dǎo)致性能不一致的主要因素，因此在將這些平臺(tái)應(yīng)用到單獨(dú)手機(jī)設(shè)計(jì)中時(shí)會(huì)遇到性能問(wèn)題。憑借 RFMD 的 MicroShield，手機(jī)制造商能夠放置高度復(fù)雜的 RF 模塊，因?yàn)樗鼈儗⑹侨缤皇?nbsp;EMI/RFI 影響的任何元件，從而提供了對(duì)板設(shè)計(jì)與布局更改而言均非常強(qiáng)大可靠的真正“即插即用”解決方案。

使用 MicroShield 的手機(jī)制造商將獲得更高 RF 性能、更低總體成本、更低板面空間要求及總體 RF 實(shí)施輕松性等優(yōu)勢(shì)。RFMD 的 MicroShield 整合 RF 屏蔽技術(shù)適用于任何模壓（over-molded）封裝技術(shù)，并且在 RFMD 的 POLARIS® 3 TOTAL RADIO™ 解決方案中得到首次應(yīng)用。