IR 推出200V DirectFET MOSFET

    國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術結合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術，可實現(xiàn) 95% 的效率。 

    IR 新推出的 200V DirectFET 器件是應用于專為 36V 至 75V 通用輸入范圍內操作的隔離式 設計DC-DC轉換器。其超低的 51 mΩ典型10V 導通電阻RDS(on) 及減低了的柵極電荷，使IRF6641TRPbF特別適合應用于高效同步整流MOSFET、推動大電流負載的高頻及高效的 DC-DC 轉換器、新一代中間總線轉換器、DC 馬達驅動器，以及為風力渦輪轉換功率的 48V 變頻器的同步整流。在 48V 通用輸入電壓范圍內操作的計算機及電信服務器的大電流 AC-DC 轉換器也可以采用新器件進行同步整流。

    IR亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的 200V DirectFET MOSFET 的電流額定值達到 25 安培，但面積僅與0.7 毫米高度的SO-8 封裝產品相同，同時也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導通和開關損耗。一顆DirectFET MOSET就能比較兩顆或三顆 SO-8 器件節(jié)省超過 50% 的空間?！?

    IR 的新器件在諸多應用上都能提供卓越的表現(xiàn)。IRF6641TRPbF 與其他采用次級同步整流插座的增強 SO-8 器件相比，當每個插座所使用的增強 SO-8 器件的數目相同時，新的 DirectFET 器件的效率可提高 0.4% 。此外，當每個插座使用兩個增強SO-8 器件時，IR 的新器件也能提供同樣 7 安培的電流和滿載效率。在同一項分析中，每個插座如果采用兩顆IRF6641TRPbF 器件的電路，MOSFET 溫度是最低的。

    新器件有一個共用MZ 占位面積，可以方便地將應用轉換至其他中電壓DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加電流電平和更低電壓的100V IRF6662器件。
 
    新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET現(xiàn)已供貨。 

    IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優(yōu)點。其金屬罐結構可提供雙面冷卻功能，使應用于驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加了一倍。此外，DirectFET封裝內的器件均符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS)。