40V P溝道 PowerTrench MOSFET產(chǎn)品（飛兆）

時(shí)間：2008-02-16 04:13:00

關(guān)鍵字： MOSFET 飛兆 POWER TRENCH

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[導(dǎo)讀]飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 溝道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品 FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達(dá)一半。

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 溝道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品 FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達(dá)一半。FDD4141 具有低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON))，與目前的 MOSFET 比較能降低柵極電荷(QG) 達(dá) 50%，可讓便攜、計(jì)算、消費(fèi)和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應(yīng)用，以更高的速度進(jìn)行切換，而不會產(chǎn)生過多的熱量。快速開關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達(dá)到數(shù)百 kHz 應(yīng)用的必備條件。盡管其它 MOSFET 解決方案亦可在較高頻率下進(jìn)行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

FDD4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的 PowerTrench 工藝技術(shù)制造，可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。PowerTrench 技術(shù)將 N 溝道 MOSFET 的特性運(yùn)用在 P 溝道 MOSFET 中，使到 P 溝道 MOSFET 具備 N 溝道 MOSFET 的性能，并表現(xiàn)出更低的 RDS (ON) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時(shí)還能夠在數(shù)百 kHz 的高頻下切換，以達(dá)致步降轉(zhuǎn)換器的開關(guān)要求。

FDD4141 是飛兆半導(dǎo)體廣泛全面的 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品組合的一部分，能夠滿足當(dāng)今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo)。飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的 PowerTrench MOSFET 工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的密勒電荷 (QGD)、RDS(on) 和總體柵極電荷 (QG) 值，當(dāng)用于同步降壓應(yīng)用時(shí)，可提供出色的開關(guān)性能和熱效率。

FDD4141采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均設(shè)計(jì)滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS) 的要求。

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