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[導讀]恩智浦半導體近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗,新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化

恩智浦半導體近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗,新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化,其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。

隨著對電子應(yīng)用不斷增長的消費需求,汽車OEM廠商面臨在汽車的有限空間中引入新功能的挑戰(zhàn),同時要保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性。LFPAK是恩智浦針對汽車應(yīng)用推出的創(chuàng)新解決方案,具有功率器件封裝可靠、散熱性能高,尺寸大幅縮小等優(yōu)點。封裝設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化,能為汽車OEM廠商帶來最佳的散熱和電器性能,低成本和高可靠性。它克服了SO8的散熱限制,使其熱阻與DPAK這樣更大的功率封裝相當。

恩智浦LFPAK封裝利用銅片設(shè)計降低了封裝的電阻和電感,從而減少了RDS(on)和MOSFET的開關(guān)損耗。LFPAK為設(shè)計者提供了具有與DPAK相似的電氣和散熱性能,但面積減小了46%的MOSFET。這有助于設(shè)計比以前更小的解決方案,或者,在無需增大模塊尺寸或降低可靠性的前提下,通過為現(xiàn)有設(shè)計增加新特性將功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK產(chǎn)品允許設(shè)計者根據(jù)應(yīng)用需求挑選器件,同時根據(jù)需求的變化改變自己的選擇。

恩智浦半導體高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理Norman Stapelberg表示:“我們相信恩智浦的LFPAK在汽車市場中將作為最可靠的功率MOSFET封裝成為新的業(yè)界標準。它使汽車OEM廠商能夠開發(fā)更緊湊的模塊。客戶的反饋不斷表明,LFPAK比競爭對手的QFN和微引腳器件更可靠。LFPAK的推出表明恩智浦繼續(xù)致力于為汽車工業(yè)開發(fā)并制造低電壓MOSFET。”

相對于市場上所有符合汽車工業(yè)標準的功率SO-8封裝MOSFET,恩智浦的LFPAK系列產(chǎn)品在5個電壓級別上提供最佳的性能和可靠性。

主要特點
• 低電感
• 低熱阻
• 與SO8尺寸相媲美
• 厚度遠低于SO8和DPAK
• 無bonding線-銅片設(shè)計
• 耐受瞬時大電流
• 100%突波耐受測試
• 符合汽車AEC-Q101標準,最高溫度175°C
• 支持引線光學檢查

目標應(yīng)用
• 發(fā)動機和變速系統(tǒng)控制器
• 防抱死制動系統(tǒng)
• 冷卻泵
• 直流/直流轉(zhuǎn)換器
• 汽車電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)和電動液壓助力轉(zhuǎn)向(EHPS)系統(tǒng)
• 電池反向保護
• 空間考慮最重要時,用作通用汽車電子切換元件

設(shè)計工具
• 溫度管理設(shè)計指南
• Spice模型
• 熱設(shè)計模型
• 通用SO-8封裝

目前可提供樣品。從2010年7月起,可以為歐洲、美國和亞太地區(qū)客戶提供樣品。

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